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2025年半导体企业资本支出与研发排名：三星以3973亿元居第一！

6月11日消息，据韩联社援引企业资料分析机构CEO Score于6月10日公布的统计显示，韩国三星电子2025年在资本支出与研发上的投入总额高达898,935亿韩元（约合人民币3973.29亿元），位居全球前十大半导体企业之首。

6月9日，根据市场研究机构Counterpoint Research最新发布的全球DRAM和HBM市场追踪报告显示，在人工智能浪潮与存储芯片短缺的双重驱动下，2026年第一季度全球DRAM市场迎来爆发式增长，整体营收环比猛增80%，同比增幅高达260%，市场规模逼近千亿美元大关。

6月8日，三星电子副会长、半导体业务负责人兼DS（设备解决方案）部门负责人全永铉宣布，在首尔中区新罗酒店与英伟达CEO黄仁勋会面，讨论了关于后续HBM4E和HBM5的供应以及晶圆代工业务的合作事宜。

6月8日消息，据韩国媒体《朝鲜日报》的最新报道指出，三星电子旗下的晶圆代工事业部们预计最快将于2026年第三季成功扭亏为盈，这将是该部门自2022年出现数万亿韩元营业亏损以来，时隔约四年首度重返获利增长轨道。

6月3日，市场研究机构Counterpoint Research发布了2026年一季度NAND Flash市场追踪报告。根据报告显示，受人工智能基础设施需求持续增长的推动，2026年第一季度全球NAND Flash市场营收达到460亿美元，同比暴涨3.5倍，超过2023年全年水平。

近日，在COMPUTEX 2026展会上，三星电子以“全方位解决方案”（Total Solution）为主题，向外界展示了其作为全球存储芯片大厂在AI存储领域的统治力。

随着AI热潮持续爆发，带动DRAM存储器持续供不应求、价格暴涨。根据TrendForce集邦咨询6月1日发布的最新调查报告显示，2026年第一季度，因一般型DRAM（Conventional DRAM）合约价季增幅度高达93-98%，带动全球DRAM产业整体营收季成长81%，达到970亿美元。

5月29日，三星电子宣布首次向全球客户提供最新一代高频宽内存——12层堆叠的HBM4E样品，该芯片将成为下一代人工智能加速器的核心，将有望巩固其在 HBM 市场的领先地位。

当地时间5月28日，由OpenAI前核心成员创立的AI安全研究与产品公司Anth…

5月25日消息，据韩国媒体ETnews报道，存储芯片大厂三星电子成功实现了全球首个900层级V-NAND原型技术，向“1000层NAND”时代又近了一步。这也将成为三星与竞争对手的激烈竞争中一项极具竞争力的技术。

为解决人工智能（AI）芯片所面临的“内存墙”这一长期挑战，根据韩媒zdnet报导，内存封装领域正在讨论采用新一代AI芯片设计，将图形处理单元（GPU）或ASIC计算单元和高带宽内存（HBM）拆分开来进行独立封装，然后通过“光学互联”技术来连接它们，可以将当前8颗HBM的安装数量提升到现在的数倍。

据DigiTimes等台媒报道，韩国三星电子会长李在镕已于5月21日率领高层团队秘密拜访了芯片设计大厂联发科总部，并与联发科董事长蔡明介、CEO蔡力行等主要高管会面。而李在镕此行的一个主要目的就是希望争取联发科的晶圆代工订单。