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三星Q1获利暴涨755%！

4月7日，三星电子公布了其2026年第一季度的盈利预期，销售额预计约为133万亿韩元，同比大涨68%；营业利润约为57.2万亿韩元，同比暴涨755%，远超分析师预期的40.6万亿韩元，刷新历史新高。

三星DRAM合约价再涨30%！

4月6日消息，据韩国媒体ETnews报道，存储芯片大厂三星电子在今一季度将DRAM合约价上涨了100%之后，而二季度的DRAM合约价将再度上涨30%。这也反应了人工智能（AI）基础设施投资持续扩张的背景下，DRAM需求依然强调。

三期项目下半年量产，长江存储产能将超越SK海力士

4月3日消息，据韩国媒体Chosun Biz报道称，中国NAND Flash制造商长江存储（YMTC）位于武汉的三期项目（第三座晶圆厂）预计将于今年下半年开始量产高堆叠层数的NAND Flash。预计长江存储今年的NAND Flash产量将超过SK海力士和美光，位居全球第三，仅次于三星和铠侠。
三星公布硅光子蓝图：2028年量产

三星公布硅光子蓝图：2028年量产

3月30日消息，晶圆代工大厂三星电子近日在美国洛杉矶举办的2026 年光纤通讯展览会（OFC 2026）上抛出震撼弹，正式宣布将于2028 年展开硅光子技术的量产计划。此举不仅直指当前市场龙头台积电，更展现了三星期望通过光传输系统，一举解决人工智能（AI）半导体传输瓶颈。

Exynos 2600实测：三星2nm仍不及台积电3nm

3月28日消息，随着三星Galaxy S26系列的上市，三星首款基于自家2nm GAA制程工艺的Exynos 2600处理器的性能也被曝光。从基于该处理器的实测数据来看，三星2nm GAA制程的能效表现仍不及基于台积电3nm的高通Snapdragon 8 Elite Gen 5。

三星、SK海力士，加速在华扩产

3月25日，据韩国媒体Businesskorea报道，存储芯片大厂三星电子和SK海力士正在对他们在中国的工厂进行大规模设施投资，以同时提升工艺技术和产能。

为发展AI半导体，三星宣布今年将投资110万亿韩元

3月19日，三星电子公布了“2026年三星电子企业价值提升计划”，宣布2026年的资本支出和研发投入规模将达110万亿韩元（约合人民币5060亿元），超过2025年的90.4万亿韩元（包括37.7万亿韩元的研发投资和52.7万亿韩元的设施投资），创下历史新高。预计大部分投资将集中在负责半导体业务的设备解决方案（Device Solutions，DS）部门。作为对比，SK海力士2025年研发投入仅6.7万亿韩元。

美光与三星恢复存储芯片长期合约谈判

3月19日消息，在存储芯片供应极其紧缺的背景下，自去年四季度以来，三星、SK海力士、美光这三大存储芯片原厂为了利益最大化，纷纷停止了与客户签署长期合约，转而以季度合约甚至更短的月度合约代替，以及时反映市场价格。但是，随着存储芯片价格达到目前的高位，后续继续大涨的可能性正在降低，反而价格下跌的风险正在积累，美光和三星为了降低风险，开始恢复与客户进行长期合约的签署和谈判。