三星、SK海力士，加速在华扩产

3月25日，据韩国媒体Businesskorea报道，存储芯片大厂三星电子和SK海力士正在对他们在中国的工厂进行大规模设施投资，以同时提升工艺技术和产能。

随着全球人工智能（AI）投资热潮加剧存储半导体短缺，三星电子和SK海力士正全力调动包括中国工厂在内的所有产能来增加对客户的供应。三星和SK海力士去年合计对中国工厂投资了1.5万亿韩元（约合69亿人民币、10亿美元），希望通过升级当地工厂的NAND Flash和DRAM生产工艺和产能来扩大芯片供应并提高盈利能力。

据韩国金融监督院3月24日发布的数据显示，三星电子去年在其位于中国西安的工厂投资了4654亿韩元（约合3.44亿美元），较上年的2778亿韩元（约合1.85亿美元）大幅增长了67.5%。西安工厂是三星电子唯一的海外NAND Flash生产基地，产量约占其总产量的40%。

△三星西安工厂

报道称，三星电子在 2019 年向西安工厂投资约 6984 亿韩元后，从 2020 年到 2023 年没有进行任何重大投资。但是该公司已恢复 2024 年的投资，投资了 2778 亿韩元，去年又将投资额增加到 4654 亿韩元，用于升级西安工厂的生产线。

同样，SK海力士去年在其位于中国无锡的DRAM生产工厂和位于大连的NAND Flash制造子公司进行了超过1万亿韩元（约合6.66亿美元）的投资。其中，无锡DRAM工厂投资5810亿韩元，较2024年的2873亿韩元增长102%；大连NAND Flash工厂投资4406亿韩元，增长52%。这是SK海力士自2022年收购英特尔大连NAND Flash工厂以来，首次在中国工厂进行万亿韩元规模的投资。

△SK海力士无锡工厂

尽管在2022年10月以来，美国对中国实施了针对半导体设备的出口管制，但三星电子和SK海力士这两家全球存储器“两大巨头”仍然积极投资中国生产设施，其背景是持续增长的存储芯片需求。

目前全球存储芯片市场供应短缺，三星、SK海力士、美光等头部大厂的DRAM 和 NAND Flash今年的全部产能已售罄。随着AI服务从简单的搜索发展到需要更多推理和学习的“智能体”形式，对高性能DRAM 和NAND Flash的需求不断增长，AI数据中心所需的HBM订单也在激增。

事实上，瑞银证券预测，全球半导体市场规模将较去年增长超过40%，达到1万亿美元（约合1496万亿韩元）。此外，由于AI基础设施投资，中国国内需求强劲。去年，中国存储芯片市场规模约为4580亿元人民币（约合99万亿韩元），预计今年将进一步扩大。

由于仅靠韩国国内产能无法满足全球需求，三星电子和SK海力士正通过升级其位于中国的工厂（其关键生产基地之一）来扩大供应。三星电子计划通过大量追加投资，将其西安NAND工厂的主要生产工艺从128层（第六代）升级到236层（第八代）。

一位业内人士解释说：“为了防止核心技术外泄，三星中国工厂和韩国工厂之间通常保持着大约两代的工艺差距。” 他补充道：“由于三星计划今年在韩国生产400层（第十代）NAND产品，中国工厂向第八代NAND的过渡可能会加快。”

据了解，SK海力士近期投资升级了其无锡工厂的DRAM生产工艺，从10纳米级的第三代（1z）工艺升级到第四代（1a）工艺。此次升级后，无锡工厂将能够量产高附加值产品，例如DDR5内存，预计这将显著提升其业绩。

另一位业内人士评论道：“无锡工厂占SK海力士DRAM总产量的30%以上，已经转型为高附加值产品生产基地。”他还预测：“大连工厂也将通过加大投资，改善财务结构，提高生产效率。”

编辑：芯智讯-浪客剑