美国宣布禁止“存在安全风险”中国实验室提供FCC认证
当地时间2025年5月22日，美国联邦通信委员会（FCC）以4:0表决通过了新规定，以阻止和消除中国政府和其他不值得信任的行为者对进入美国销售的无线设备检测认证授权过程的控制权。这些规则将确保数百个设备测试实验室和电信认证机构——负责测试、审查和认证在美国进口、营销和销售的无线电子设备的实体——不拥有构成国家安全风险的所有权利益，包括他们可能会被外国对手竞标的风险。
OPPO携手华为、vivo、荣耀签署融合快充UFCS互授权
5月22日，2025 融合快充（UFCS）产业发展大会在深圳举行。作为融合快充生态的关键推动者和重要贡献者，OPPO与华为、vivo、荣耀共同签署了UFCS互授权意向，标志着国内快充产业协作的进一步深化。与此同时，UFCS 2.0 标准的正式发布及40W融合快充互通的启动，预示着中国统一快充生态建设已迈入全新阶段。OPPO始终致力于技术创新，并积极推动UFCS快充标准的落地与普及，为行业发展贡献力量。
先导科技集团投资50亿元在上海临港新建总部基地
据上海临港官微报道，5月22日，临港新片区管委会、临港集团、先导科技集团在广州共同签署项目投资协议，先导科技集成电路核心零部件及系统总部基地项目正式落地临港新片区。市委常委、临港新片区党工委书记、管委会主任陈金山出席并见证签约。
Navitas获英伟达800V HVDC大单，股价暴涨164%
当地时间5月21日，美国功率器件大厂纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布，与英伟达就其下一代 800V 高压直流供电（HVDC）架构展开合作，以支持为其 GPU（例如 Rubin Ultra）供电的“Kyber”机架级系统，该系统将由Navitas的GaNFast™ 和 GeneSiC™ 功率技术支持。
ADI第二季营收26.4亿美元，同比增长22%
5月23日消息，模拟芯片大厂ADI（Analog Devices Inc.）于当地时间 22日公布了2025会计年度第二季（截至2025年5月3日）财报，受益于AI带动的模拟芯片需求，ADI第二季营收26.4亿美元，同期大涨22%，超越FactSet调查的分析师平均预期的25.1亿美元；调整后每股收益1.85美元，也优于FactSet调查的分析师平均预期的1.70美元。
三星扩大1c DRAM产能，希望通过HBM4缩小与竞争对手差距
目前HBM4 已成为DRAM大厂的新战场，三星正藉由大规模的投资缩小与当前市场龙头SK 海力士的差距。根据韩国媒体ZDNet Korea 的报导，三星计划在韩国华城和平泽扩大1c DRAM （第六代10nm等级）制程技术的生产，相关投资将在年底前启动。
Deca携手IBM打造北美先进封装生产基地
当地时间5月22日，Deca Technologies 宣布与IBM 签署协议，将Deca 旗下的M-Series 与Adaptive Patterning 技术导入IBM 位于加拿大魁北克省Bromont 的先进封装厂。根据此协议，IBM 将建立一条大规模生产线，重点聚焦于Deca 的M-Series Fan-out Interposer 技术（MFIT）。透过结合IBM 的先进封装能力与Deca 经市场验证的技术，双方将携手扩展高效能小芯片整合与先进运算系统的全球供应链。
台积电针对美国商务部半导体调查提交6大意见
据台媒报道，晶圆代工大厂台积电当地时间5月21日针对美国商务部《贸易扩张法》第232条进行的半导体进口国家安全调查，提交一份详尽的意见书。其中提到六大重点：包括建议政府豁免现有的半导体投资、维持供应链准入、避免对终端产品征税、延长先进制造业投资抵免额，并建议美国政府应加速许可程序，以及进行人才培育合作。
小米135亿烧出的“玄戒”双芯，究竟够不够“硬”？
小米CEO雷军在发布会上非常兴奋地表示：“玄戒O1和玄戒T1的成功推出，标志着小米具有了全栈的芯片设计能力。”
思特威推出4MP智能安防应用图像传感器升级新品SC4336H
近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens，股票代码688213)，全新推出4MP智能安防应用图像传感器——SC4336H。作为思特威基于DSI -3工艺技术打造的首款产品，SC4336H采用1/3"靶面尺寸设计，搭载了SFCPixel 等思特威专利技术，拥有高感度、高色彩还原度、低噪声、低功耗等性能优势，凭借出色稳定的高质感成像，充分满足智能安防应用的性能升级需求。
2025Q1全球TWS耳机出货量排名：苹果第一，小米第二！
5月22日消息，市场研究机构Canalys近日发布了2025年第一季度全球TWS真无线耳机市场出货数据与品牌排名。数据显示，2025年一季度全球TWS耳机市场出货量达7800万台，量同比增长18%，创下自2021年以来的最高增速。
HBM4制造难度及成本将更高，溢价幅度预计将超30%
5月22日消息，根据市场研究机构TrendForce最新发布的研究报道称，受益于AI芯片需求的带动，三大DRAM原厂正积极推动HBM4 产品进度。但因HBM4的I/O 数量增加，复杂芯片设计也使得所需的晶圆面积增加，且部分供应商产品改为采逻辑基低芯片构架以提高性能，这些都将带来成本的提升。鉴于HBM3e刚刚推出时溢价比例约20%，制造难度更高的HBM4的溢价幅度或突破30%。
