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三星推迟美国泰勒晶圆厂开业时间,以便争取更多客户

台积电产能紧缺,三星将在美国建第二座2nm晶圆厂

3月18日消息,根据韩国《中央日报》的报导,由于晶圆代工大厂台积电的产能已经面临极度紧绷的状态,促使美国各大科技厂商纷纷开始排队寻求其他晶圆代工产能的支持。在此强烈需求的背景下,韩国三星电子正积极筹备,准备在其位于美国德克萨斯州泰勒市的庞大半导体园区内,新建第二座晶圆厂(Fab 2)。

三星:HBM4产能占比将提升至50%以上!

3月18日,根据韩国媒体《朝鲜日报》的最新报导,在全球人工智能(AI)芯片需求持续爆发的背景下,韩国三星电子正积极巩固其在高带宽内存(HBM)市场的领先地位。三星电子存储开发部执行副总裁黄相俊(Hwang Sang-jun)在英伟达GTC 2026大会现场公布了三星最新的HBM量产进度与下一代技术发展蓝图。

三星:Groq 3 LPU正在生产,订单量超预期!

3月17日消息,据韩国媒体Business korea报道,三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存(HBM5),其底层芯片(Base die)将采用2nm工艺。对于第九代HBM5E,该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D(第七代10纳米级)工艺的DRAM。

为争夺HBM4市场,SK海力士新技术进入验证阶段

3月9日消息,据韩媒ZDNet报道,在人工智能(AI)热潮之下,高带宽内存(HBM)已经成为支撑全球AI基础设施的最核心零组件。为争夺最新的HBM市场的主导权,SK海力士与三星电子之间的竞争正日益激烈。

2025Q4全球五大NAND厂商营收环比增长23.8%

3月3日消息,根据市场研究机构TrendForce的最新调查显示,2025年第四季全球NAND Flash市场持续受益于人工智能(AI)基础设施建设热潮,前五大NAND Flash品牌厂营收合计环比大幅增长23.8%,达211.7亿美元。尤其北美云端服务供应商(CSP)扩建AI基础设施,刺激企业级SSD 需求爆发式增长,叠加机械硬盘(HDD)严重缺货、交期过长带来的转单效应,整体NAND Flash缺口更加严重,推升价格涨势,供应商营收规模也因此受益。

两大DRAM巨头再发涨价通知

2月28日消息,据韩国媒体sedaily报道,全球前两大DRAM芯片大厂三星电子和SK海力士已向客户发出通知,今年第二季度将继续大幅提高DRAM价格。

Q1传统DRAM合约价将上涨90%~95%!

2月26日消息,据市场研究机构TrendForce最新发布的调查报告显示,由于人工智能(AI)应用由LLM 模型训练延伸至推理,推动CSP业者的数据中心建置重心由AI数据中心延伸至传统服务器,推动内存芯片采购重心由HBM3e、LPDDR5X 及大容量RDIMM 延伸至各类容量的RDIMM,积极释出追加订单,带动传统型DRAM 合约价大幅上涨,使得2025 年第四季DRAM 产业营收环比增长29.4%至为535.8 亿美元。