三星导入Claude加速芯片设计验证，1个月的工作2天完成
三星工程师借助Anthropic的Claude Code，将一项原本需时超一个月的芯片验证任务缩短至两天。
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三星推迟High NA EUV导入，2030年助力1nm量产
8月12日，在韩国举行的“2026下一代光刻与图案化会议”（2026 Next-Generation Lithography + Patterning）上，三星电子技术副总裁朴昌民（ChangMin Park）表示，公司计划从1纳米（A10）制程节点开始，引入ASML的高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻机进行量产。这一时间点预计在2030年左右。
长江存储，杀入全球前三！
2026年二季度长江存储（YMTC）出货量同比增长了22%，环比增长5%，充分利用了普遍的市场供应短缺。它扩大了对国内OEM厂商的供应，同时大规模生产267层3D NAND，并推动基于Xtacking架构的300+层技术。
三星HBM4良率冲上80%，Q3营收预计将暴涨超3倍
8月11日消息，据韩国媒体《首尔经济日报》报道，三星电子在高带宽内存（HBM）领域取得重大进展，其第六代HBM4的良率已接近80%，达到了业界所称的“黄金良率”，这意味着量产流程更稳定，且对获利更有利。
手握940亿美元预付款，三大DRAM原厂的霸权何时终结？
三星、SK海力士和美光等主要厂商正借此摆脱过去波动剧烈、利润微薄的业务模式，转向一种更稳定的经营方式——通过长期供应合同和严格的价格下限锁定直至2030年的销售。
三星年底前建泰勒二厂，存储芯片产能优先供应长约客户
三星电子在不久前的第二季财报电话会议上宣布，将于2026年底前，开始在美国德克萨斯州泰勒市（Taylor）建造第二座晶圆厂。同时，面对日益成长的AI客户需求，三星还计划将60%至70%的记忆体产能分配给长期供应合约（LTA）。
三星晶圆代工产能利用率将达100%
8月5日消息，据韩国媒体《朝鲜日报》报道，三星电子晶圆代工业务预计将在2026年下半年达成100%的产能利用率。虽然目前其产能利用率预计在70%至80%左右，但从接单余额与正在进行的合约进展来看，三星内外普遍认为年底达成100%产能利用率已成定局。
三星公布AI存储路线图：全新zHBM与zNAND-O曝光，还有首款400层NAND！
8月4日，韩国三星电子于FMS 2026大会上展示其最新的AI内存产品组合与技术路线图，首度公开zHBM与zNAND-O概念模型，并推出业界首款层数超过400层的V10 BV-NAND。
三星宣布将在美国建1.4nm晶圆厂
据韩联社报道，三星电子于7月30日的第二季财报会议上宣布，预计今年底在美国德克萨斯州泰勒园区（Taylor）动工兴建第二座半导体晶圆厂“Taylor Fab 2”，目标是2030年量产1.4nm。
Q2获利暴增1814%！三星手机业务却首度亏损！
7月30日，在AI基础设施投资热潮的推动下，三星电子交出了公司史上最强的一份二季度财报，营收与营业利润连续三个季度刷新历史纪录，半导体部门贡献了几乎全部利润。然而，存储芯片价格的飙升却让三星自家手机部门首次沦为亏损的部门。
三星，也要用中国DRAM了？
7月27日，据韩国媒体《亚洲时报》报道，在全球半导体市场因“芯片通货膨胀”（零部件价格上涨）而动荡不安的背景下，中国手机市场已出现明显萎缩。三星电子正在积极考虑采用价格竞争力突出的“中国DRAM”，以此作为突破口，攻占中国本土中低端智能手机市场。
三星与博通达成2000亿美元战略合作
当地时间7月24日，在美国旧金山举行的人工智能峰会上，韩国总统李在明及SK集团、三星电子等韩国国内一些顶尖商业领袖和研究人员与包括英伟达、OpenAI、博通合作伙伴会面，共同探讨韩国的人工智能进展。