8月11日消息，据韩国媒体《首尔经济日报》报道，三星电子在高带宽内存（HBM）领域取得重大进展，其第六代HBM4的良率已接近80%，达到了业界所称的“黄金良率”，这意味着量产流程更稳定，且对获利更有利。
报道中出，三星电子自今年2月开始量产HBM4时，良率仍低于60%，但在约半年内通过加速与优化生产，已提前达成原定于今年底前完成的80%良率目标。业界普遍认为，超过80%的良率代表制程成熟度显著提升，能更可靠地满足客户的供货需求。
三星此次良率的提升，被认为归功于其晶圆代工、内存与先进封装部门的整合合作，并成功克服热压非导电薄膜（TC-NCF）制程的挑战。随着HBM4产能与良率同步提升，三星已将第三季HBM4的营收预估上调至较前一季增长三倍以上，并计划在今年下半年让HBM4在整体HBM产品中的占比超过60%。
除了HBM4之外，三星下一代HBM4E的进展也十分顺利，可靠度测试良率已提升至70%以上。三星今年稍早已公开HBM4E规格，单颗DRAM堆叠容量可达48GB，频宽最高可达4TB/s。市场目前正密切关注，由于AMD已率先在Instinct MI400平台采用三星的HBM4，三星希望通过后续HBM4E的进展，进一步争取更多AI芯片客户。
编辑：芯智讯-林子
