2026Q2全球DRAM产业营收环比增长59.5%，供给扩张仍不及需求成长
9月7日，市场研究机构TrendForce最新发布的报告显示，2026年第二季由于一般型DRAM（conventional DRAM）合约价显著上涨，推升整体DRAM产业营收环比增长59.5%至1,547.3亿美元。
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三星、SK海力士库存不足10天，明年将“无货可卖”？
随着人工智能（AI）基础设施建设投资加速，存储芯片的短缺仍在加剧。据韩国媒体BusinessKorea报道，截至2026年第三季度，三星电子与SK海力士的存储半导体库存已降至不足10天供应量，市场担忧明年可能出现“可供销售产品耗尽”——即无货可卖的极端局面。
三星HBM5开发目标：性能翻倍，能效提升20%，热阻降低20%
在近日于台北举行的“Memory Executive Summit”活动上，三星电子的高管公布了其下一代高带宽内存HBM5的开发目标：相较HBM4E实现性能翻倍，同时每瓦性能提升20%，热阻降低20%。
三星发布“CUBE”3D存储战略，zHBM有望2028年量产
2026年9月1日，在SEMICON Taiwan 2026 存储高峰论坛上，三星电子存储产品规划部门副社长崔璋石（Jangseok Choi）以“开启智慧新维度，以3D整合技术驱动AI时代”为题发表主题演讲，正式对外揭露其下一代存储技术布局与“CUBE”策略。
三星未来5年7成产能已锁定，HBM合约价仅现货价20%
据韩国经济日报（SEDaily）8月31日报道，随着人工智能（AI）建设对高带宽内存（HBM）需求的持续飙升，三星电子已将其高达70%的存储器产能通过长期供应协议（LTA）锁定，合同期限延伸至2031年。这一战略举措正在深刻改变传统内存市场的周期性特征，同时也导致现货市场价格与长协价之间出现高达4-5倍的巨大价差。
三星公布HBM“三阶段”演进蓝图
随着HBM面临带宽、功耗与封装尺寸等多重瓶颈，三星正积极寻求下一代HBM架构的突破。根据三星近日在Hot Chips 2026上披露的技术蓝图，其HBM演进方向可分为三个阶段，从释放芯片面积、扩充功能，到最终实现zHBM 3D整合。
DRAM缺到2030年？英伟达再签长约锁单！
8月21日消息，据半导体供应链的研究机构Edgewater Research最新发布的报告显示，英伟达（Nvidia）已与SK海力士和美光签署新的多年期HBM及DRAM存储器供应协议，以确保其AI芯片产品的长期供货安全。
三星晶圆代工涨价15%！
8月19日，据路透社援引两位知情人士报道称，三星电子已将部分先进制程晶圆代工新订单的价格上调最高15%，原因是人工智能（AI）芯片需求激增导致产能持续紧张。在台积电长期主导的代工市场上，三星正借助AI需求外溢带来的产能缺口获得更强的议价能力。
前五大NAND厂商Q2营收环比大涨77%，美光排名升至第三
8月18日消息，根据市场研究机构 TrendForce 最新公布的 NAND Flash 产业研究报告显示，2026 年第二季 AI 服务器拉货力道维持稳健，尤其 enterprise SSD 需求旺盛，导致整体 NAND Flash 市场供不应求，原厂得以藉由议价机制大幅调涨产品平均销售单价（ASP）。因此，在已上市 NAND Flash 品牌中，前五大业者合计营收环比增长77%达688.7亿美元。
苹果以46%份额位居智能手表市场第一，华为以18%份额位居智能手环市场第一
8月17日消息，根据市场研究机构Omdia发布报告显示，今年第二季全球可穿戴腕戴设备出货量同比下滑2%。其中，受益于高阶运动穿戴设备的强劲表现，智能手表出货量同比增长6%。新型无屏基础手环也表现强劲，因消费者正日益倾向于选择极简主义设备或功能更强大的运动手表。
三星导入Claude加速芯片设计验证，1个月的工作2天完成
8月14日消息，据韩国媒体《朝鲜日报》报道，三星电子的芯片设计部门——System LSI已经开始将Anthropic公司的Claude应用于其芯片设计和验证流程中，并取得了显著成效。原本需要一个月以上才能完成的验证任务仅需两天就完成了。由于该报道同时披露了具体的内部数据以及AI应用中的失败案例，这在衡量AI对芯片开发生产力的实际影响方面。
三星拟将NRD-K 2产线转型代工2nm HBM基础芯粒
8月14日消息，据韩国媒体 ZDNet Korea 报道，三星电子将调整其位于器兴园区、正在建设中的“NRD-K”第二条生产线（Line 2），计划将该生产线转换为晶圆代工（Foundry）专用的中继晶圆厂（Send-Fab），以扩大晶圆代工产能。