盛合晶微高密度互联多芯片集成封装暨J2C厂房开工
5月19日，盛合晶微超高密度互联三维多芯片集成封装项目暨J2C厂房开工仪式在江阴高新区举行。
标签： 先进封装
三星与SK海力士将采用1c DRAM打造新一代HBM4
5月20日消息，据韩国 ZDNet援引的最新行业消息称，韩国存储芯片大厂三星和 SK 海力士正计划使用1c制程的DRAM来开发下一代的HBM4内存。
传台积电今明两年先进封装产能已被预定一空！
5月6日消息，据台媒《经济日报》报道，随着生成式AI需求持续爆发，也推动了英伟达（NVIDIA）、AMD等AI芯片巨头持续扩大供应，最新的传闻显示，台积电今年和明年的CoWoS与SoIC先进封装产能已经全部被包下。
英特尔先进封装产能吃紧，将影响第二季酷睿Ultra处理器供应
4月29日消息，在上周的英特尔的财报会议上，英特尔CEO Pat Gelsinger表示，因晶圆级封装能力不足，使得二季度英特尔Core Ultra处理器的供应受到限制。
传苹果已在台积电小量试产SoIC技术，最快2025年正式量产
4月17日消息，据外媒naver报道，苹果公司正在台积电小量试产最新3D小芯片堆叠技术SoIC（系统整合芯片），最快有望2025~2026年有机会看到终端产品问世。
英伟达Blackwell需求旺盛，将带动台积电CoWoS总产能提升超150%
4月16日消息，英伟达（NVIDIA）最新推出的Blackwell平台产品包括了全新的B200 GPU及整合了Grace CPU的GB200等。市场研究机构TrendForce指出，GB200主要是替代上一代的GH200，但是GH200的出货量预计仅占上代英伟达高端GPU出货量约5%。目前供应链对GB200寄予厚望，预估2025年出货量有机会突破百万颗，将占英伟达高端GPU出货量的近40%~50%。
三星在美投资额提升至400亿美元，将获64亿美元补贴
当地时间4月15日，美国商务部官网发布公告称，已与三星电子签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片和科学法案》向三星电子提供高达64亿美元的直接补贴资金，以加强美国半导体供应链的弹性，推进美国的技术领导地位，并增强美国的全球竞争力。同时，三星还还表示，计划申请美国财政部的投资税收抵免，预计将涵盖高达25%的合格资本支出。
台积电CoWoS供不应求，三星抢下英伟达2.5D先进封装订单
4月8日消息，据韩国媒体TheElec报导，三星电子已经成功拿下了GPU大厂英伟达（NVIDIA）的2.5D封装订单。
总投资提高至440亿美元，传三星将在美国再建一座晶圆厂和一座先进封装厂
4月6日消息，据《华尔街日报》报道，三星计划将大幅增加其在美国德克萨斯州泰勒市的半导体投资，预计将在计划的投资170亿美元建造一座5nm晶圆厂的基础上，再兴建一座新的先进制程晶圆厂、一座先进封装厂和一个研发中心，使得总体的投资金额达到约 440 亿美元 。
投资38.7亿美元，SK海力士宣布在美国建先进封装厂
当地时间4月3日，存储芯片大厂SK海力士正式宣布，将投资38.7亿美元在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）建造适于AI的存储器的HBM（高带宽内存）的先进封装生产基地，预计将于2028年下半年开始量产。同时与美国普渡（Purdue）大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。
三星全面发力先进封装，今年相关营收将挑战1亿美元
传台积电将在嘉义建两座先进封装厂
3月18日消息，据台媒报道，传闻台积电将在嘉义科学园区扩产先进封装产能，政府将为其提供六座工厂的用地。
