台积电的5nm工艺即将量产,总投资高达1.5万亿新台币(约合500亿美元,光是建厂就至少200亿美元了)的台积电3nm工艺,原本计划6月份试产,现在要延期到10月份了。
WikiChips经过分析后估计,台积电5nm的栅极间距为48nm,金属间距则是30nm,鳍片间距25-26nm,单元高度约为180nm,照此计算,台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米1.713亿个。
很快台积电的5nm工艺即将量产。而苹果今年的iPhone 12所搭载的A14处理器也将会采用台积电的5nm工艺。现在疑似A14处理器的跑分曝光了,频率堆到了3.1GHz,GK5单核1658分,多核4612分。
很快,台积电就将开始量产5nm EUV工艺,而三星也在加码投资,预计6月底完成5nm EUV生产线。
据爆料称,英特尔2021年开始采用台积电6nm EUV工艺的产品主要是英特尔自研的GPU及芯片组。因为GPU相对CPU制造来说更简单一些,而且台积电在GPU制造上很有经验。根据此前已曝光的信息显示,英特尔自研的Xe架构独显DG1使用的是自家10nm工艺制造,今年底上市,拥有96组EU执行单元,一共是768个核心,基础频率1GHz,加速频率1.5GHz,1MB二级缓存以及3GB显存,TDP为25W。
在近日的FAD 2020分析师大会上,AMD官方正式公布了未来两年的Zen CPU架构路线图,包括企业级的EPYC霄龙、消费级的Ryzen锐龙两条线。
日前,在摩根士丹利的TMT会议上,Intel CFO George Davis也坦言,该公司的10nm / 10nm +工艺节点“不会成为英特尔有史以来最好的节点”。他甚至继续说道:“它将生产力低于14nm,生产力低于22nm,但是我们对我们看到的改进感到很兴奋,我们希望从7nm开始,并在一个更好的水平上开始。性能指标要高于2021年底的指标。”
很快,台积电和三星的5nm工艺即将量产,与此同时,台积电和三星的3nm工艺也在持续的研发当中。而对于5nm及以下工艺来说,都必须依靠EUV(极紫外)光刻机才能实现。而目前全球只有一家厂商能够供应EUV光刻机,那就是荷兰的ASML。
台积电 2020 年的资本开支再创新高, 2019 年台积电将资本开支提升到了 140-150 亿美元,相比之前增加了 40 亿美元,而 2020 年至少是 150-160 亿美元,是史上最高的资本支出 。
早在2019年4月,台积电宣布其5nm工艺已经开始风险生产。到IEDM 2019,他们对经过1000小时HTOL并将于2020年1H投入量产的工艺进行了详细描述。据介绍,这5nm的技术是在7nm基础上微缩的全节点工艺,它使用智能的微缩主要设计规则(栅极,鳍和MX / Vx的间距)以提高良率,同时他为这个工艺带来了0.021um²的SRAM单元,同时还有一个优于计划的缺陷密度(logic defect density)d 0。
近日,据台湾媒体报道,台积电5nm制程近期有重大突破,试产良率突破八成,为下季度导入量产打下基础。
据产业链最新消息称,苹果明年的iPhone 12系列将全部采用最新的A14处理器,而这款处理器已经全部交由台积电的5nm工艺代工。