为赶超SK海力士，三星计划三年内量产V-DRAM
4月28日消息，据韩国媒体 sedaily 报导，三星电子已确定将在三年内量产被称为次世代內存的“垂直信道晶体管（VCT）DRAM”的蓝图。外界解读，三星有意比竞争对手SK海力士更早一个世代成功量产，以挽回“超级差距”的地位。
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SK Hynix展示全球首款16层堆叠HBM4：2.0TB/s带宽、台积电代工Logic Die
4月28日消息，据wccftech报道，继今年3月宣布全球首次向客户提供12层堆叠HBM4样品之后，SK海力士在近日的台积电北美技术论坛又首次向公众展示其最新的16层堆叠HBM4方案。
传三星HBM4的逻辑Base Die测试良率已超40%
据《朝鲜日报》报道，此前在HBM技术竞争中落后的三星电子，其在HBM4 12层 技术的开发和制造方面已经取得了巨大进展，其为HBM4开发的基于其4nm逻辑制程的Logic die 的测试良率已超过40%。
美国将对半导体加征关税：三星、SK海力士压力山大
4月14日消息，据韩国媒体《朝鲜日报》报道 ，随着美国总统特朗普即将启动对半导体加征关税政策，这或将对三星电子、SK海力士、美光科技等存储芯片大厂带来冲击。
SK海力士大连二厂被搁置
4月11日消息，据外媒zdnet报道，近期正式完成了对于英特尔NAND业务部门收购的SK海力士正着手重组其在中国大连的工厂及相关资产。然而，SK海力士大约3年前开始计划建设的第二座NAND晶圆厂仍因投资保守而处于搁置状态，这也被外界解读为是受到了近两年来NAND行业不确定性的阻碍。
首次超越三星！SK海力士以36%份额，成为全球第一大DRAM供应商
4月9日消息，根据调研机构Counterpoint Research最新发布的2025年一季度DRAM市场追踪报告显示，SK海力士以36%的营收市占率首度超越三星电子，成为了全球第一大DRAM供应商。排名第二的三星，其市占率为34%，低于SK海力士约2个百分点。紧随其后的美光市占率为25%，其他厂商仅有5%的份额。SK海力士还预期，其营收与市占率的增长至少会持续到下一季。
SK海力士10nm级1c制程良率已达80%，即将进入量产
4月9日消息，据韩国媒体Hankooki报导，存储芯片大厂SK海力士第六代10nm等级1c制程DRAM良率已经从2024下半年的60%大幅提升到了80%，如期进入了量产。
英伟达B300即将出货，美光将今年HBM市场规模上修至350亿美元
4月8日消息，随着英伟达（NVIDIA）B300芯片即将出货，将有望带动高频宽內存（HBM）市场需求。美光近期已经将2025年HBM市场规模从300亿美元上修至350亿美元，预计全年需求容量达22.5亿GB，以每颗HBM3e-12Hi提供36GB计算，需求量至少高达6,250万颗。
SK海力士正式完成对英特尔NAND业务的收购
当地时间3月27日，随着最后一笔19亿美元的款项的支付，SK海力士正式完成了对于英特尔NAND业务（已更名为Solidigm）的收购。
SK海力士CEO：今年HBM产能已销售一空，明年产能也即将售罄！
据路透社报道，SK海力士（SK Hynix）首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-Jung）在3月27日的年度股东大会上表示，AI数据中心对于高带宽內存（HBM）需求今年有望出现“爆炸性增长”，今年SK海力士的HBM产能已销售一空，在与客户洽谈结束后，预计2026年产能也将在今年上半年售罄。
博通对HBM需求暴增，SK海力士M15X晶圆厂提前两个月装机
3月20日消息，据韩国韩媒The Elec报道，由于来自客户（特别是博通）的高带宽內存（HBM）订单量暴增，SK海力士正计划提前两个月在全新的M15X晶圆厂导入设备，从而快速提升产能。同时，原计划为每月3.2万片晶圆的产能，现在可能计划增加到接近翻倍，不过新的产能目标将于下个月才能最终确定。
