为赶超SK海力士，三星计划三年内量产V-DRAM

4月28日消息，据韩国媒体 sedaily 报导，三星电子已确定将在三年内量产被称为次世代內存的“垂直信道晶体管（VCT）DRAM”的蓝图。外界解读，三星有意比竞争对手SK海力士更早一个世代成功量产，以挽回“超级差距”的地位。

VCT DRAM是指将內存单元中控制电流流动的晶体管垂直排列的产品。与传统平面方式相比，可以排列更多晶体管，实现更高容量，因此被视为潜力巨大的“游戏规则改变者”。然而，这种制作方式比传统工艺更繁复且严苛，不仅前段制程（晶圆制作）难度高，还需动用过去DRAM制程中未曾使用过的先进封装技术，技术门坎相当高。

三星电子目前正量产10nm级的第五代DRAM，并以今年量产第六代产品为目标。随着明年开发第七代产品的时程已确定，三星在第八代（1e）DRAM与全新制程技术VCT DRAM之间进行权衡后，最终选择后者这个技术路线。

据悉，SK海力士则规划第七代DRAM，再来依序是1奈米级第1代（0a）、垂直DRAM（VG）的导入时间表。由此来看，如果三星计划顺利推进，将领先一步开启「V DRAM时代」。另外，传三星电子内部已将负责第八代产品的前期研究团队与第七代团队合并。

业界预期，VCT DRAM有望在2~3年内看到实体产品。业界人士指出，由于三星近期在单一DRAM领域也开始落后，可以看出他们希望透过领先未来技术重拾市场领导者的自尊心。

对于这项消息，三星电子则回应称“尚未确定具体的DRAM产品蓝图”。

编辑：芯智讯-林子