SK海力士10nm级1c制程良率已达80%，即将进入量产

4月9日消息，据韩国媒体Hankooki报导，存储芯片大厂SK海力士第六代10nm等级1c制程DRAM良率已经从2024下半年的60%大幅提升到了80%，如期进入了量产。

SK 海力士在2024年8月就曾宣布，成功开发全球首款第六代10nm等级1c制程DDR5 DRAM，是1b平台的延伸，生产效率更高，运行速度、性能方面显著改进。除DDR5外，SK海力士旗下LPDDR6、GDDR7等也将采用此制程。

报道称，当DRAM 制程良率达80%~90%时就可量产，故SK海力士第六代10nm等级1c制程快达量产水准。不过，SK 海力士第六代10nm等级1c制程尚需更长时间才能在需求旺盛的HBM领域取得应用。市场消息显示，SK海力士将在今年量产HBM4产品，但原则上仍将采用较成熟的第五代10nm 1b制程。

编辑：芯智讯-浪客剑