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联电撤出福建晋华DRAM项目,认列2300万美元费用

1月29日,联华电子股份有限公司公布了最新的财务报告。报告显示,2018年第四季度合并营业收入为新台币355.2亿元,较上季的新台币393.9亿元减少9.8%,与去年同期的新台币366.3亿元相比减少3.0%,毛利率为13.0%,归属母公司亏损为新台币17.1亿元(约5560万美元)。
GlobalFoundries 22nm工艺中国第一单:上海复旦拿下

继联电之后,格芯正式宣布放弃7nm FinFET项目

格芯(GLOBALFOUNDRIES)官方在今天凌晨正式宣布:为支持公司战略调整,格芯将搁置7纳米FinFET项目,并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。在裁减相关人员的同时,一大部分顶尖技术人员将被部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品的工作上。
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联电宣布:放弃12纳米以下制程!

“不再投资 12 纳米以下的先进制程!”这是去年 7 月,联电采用共同总经理制后,新接任的王石和简山杰随即做了这个极为大胆的决定,宣告联电开始进行一连串的改革,要扭转过去 18 年联电的竞争劣势。

台湾联电子公司苏州和舰拟在A股上市

台湾联华电子6月29日通过董事会决议,发布公开消息称,计划旗下子公司苏州和舰公司赴 A 股上市,联电董事会决议由从事 8 英寸晶圆代工业务的子公司和舰芯片制造(苏州)股份有限公司,协同另一大陆子公司联芯集成电路制造(厦门)有限公司,以及和舰公司从事IC设计的子公司联暻半导体(山东)有限公司,由和舰公司向中国证监会申请首次公开发行A股股票,并向上海证券交易所申请上市交易。

福建晋华12寸晶圆厂封顶,预计明年年第3季投产,月产能6 万片DRAM

由台湾晶圆代工大厂联电,与福建晋华集成电路公司合作的 12 寸随机存取存储器(DRAM)生产线 (晋华项目),于 2017 年 7 月 16 日在福建省泉州市晋江县进行动工奠基仪式之后,事隔近 4 个多月的时间,已经于 11 月 21 日举行 FAB 主厂房的封顶仪式。而随着 FAB 主厂房的封顶,代表着晋华项目也将进入机电安装和无尘室的施工阶段。
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联电自主研发DRAM明年Q4将完成首阶段开发

近期,联电遭存储器大厂美光指控妨碍营业秘密,对此,联电共同总经理简山杰表示,对司法程序进行中的案件不应多言,但联电一向以保护知识产权著称,也禁止员工不得使用其它公司营业机密公司;他强调,自主研发 DRAM 的计划不会因此而改变,预计明年第四季完成第一阶段的技术研发;另外,展望公司未来发展蓝图,追求获利成长仍为首要目标。

为提升利润率,联发科将部分28nm订单转给UMC代工

据Digitimes报道,联发科将把部分28nm的芯片订单从外包给台积电转移给UMC(联电),时间预计从2018年开始。报道称,这部分订单主要是生产亚马逊的Echo Dot等IoT物联网设备。此前亚马逊一片芯片给联发科5美元,给台积电代工后,扣除后端和服务费,联发科实际拿到的只有2美元。
联芯量产28nm工艺:良率高达94% 主打高性能

联芯量产28nm工艺:良率高达94%,主打高性能

在晶圆代工行业,中国本土厂商的技术实力与Intel、三星、TSMC等公司差距很大,后三家已经开始量产14/16nm、10nm工艺,国内目前只有SMIC中芯国际才量产了28nm工艺。现在厦门的联芯公司也宣布量产了28nm工艺,他们的技术来源于台湾UMC公司授权,这次的28nm工艺授权费高达2亿美元,虽然代价很高,不过在UMC的扶植下,联芯的28nm工艺良率不错,初期就达到了94%。