联电回应窃取美光知识产权指控：已积累了近15年制造DRAM产品的经验

针对美国的“禁令”及窃取美光知识产权和机密的诉讼，上周福建晋华做出回应，称不存在窃取其他公司技术的行为！11月9日深夜，与福建晋华合作的联电也发表声明，否认相关指控，并称联电此前已积累了近15年制造DRAM产品的经验。

此前，美国司法部宣布，向美国法院起诉福建晋华及其中国台湾合作伙伴联华电子以及3名个人，指控其窃取美光的知识产权和商业机密。

起诉书指出，涉案3名台湾男子是陈正坤（Stephen Chen Zhengkun）、何建亭（He Jianting，译音）和王永明（Kenny Wang Yungming，译音），他们全都曾在美光工作，并在加入联电时窃走美光的技术，目的是要转移给成立仅两年的晋华。

在声明中，联电指出，联电是国际公认、台湾起家的半导体公司。38年来，在全球的供应链上，已经成为不可或缺的一员，先进量产技术达14nm。

对比之下，美光公司争执所涉及的DRAM技术，是32nm，在联电的计划启动当时，已经是落后几代的技术。

声明中还表示，社会上有一个错误的印象，认为联电没有任何DRAM的知识或经验，这不是事实，而且是极端的不实。

从1996年到2010年，联电积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上，联电内部DRAM团队人数，超过150人。联电是一个有组织的企业机构，藉由坚实而稳定的团队，掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。

以现任共同总经理之一的简山杰为例，简山杰是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理。另一个实例则是Alliance公司，该公司是1996年第一个获得联电授权合作DRAM伙伴之一，也是一家总部位于美国的DRAM芯片设计公司，借由联华电子的技术进行DRAM製造。

除了传统的DRAM技术外，2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术，这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。

另一方面，联电表示，同意与晋华公司联合开发DRAM制程，这是一个与联电晶圆专工服务完全分开的单独项目，在做成决策当时，只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易，已经向政府正式提出申请，主管单位也已于2016年4月批准整个项目。值得一提的是，那时还未听说有中美贸易战。

最后，对于敌对阵营的指控，联电说明，自从联电开始为晋华开发DRAM制程技术，履行合约义务，联电已经花费了数亿新台币。尽管这个项目的研发团队成员接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作过。

相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象，联电的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。

简言之，联电开发的架构是3x2布局的存储单元，这与美光公司的2x3布局的存储单元是完全不同的。

联电也表示，另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25nm的DRAM技术。事实是，美光公司在2010年初，购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25nm DRAM技术。

最后，针对这一起诉，联电表示，不会在报刊上进行这场诉讼，但联电要向客户和投资人保证，对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。