联电自主研发DRAM明年Q4将完成首阶段开发

近期，联电遭存储器大厂美光指控妨碍营业秘密，对此，联电共同总经理简山杰表示，对司法程序进行中的案件不应多言，但联电一向以保护知识产权著称，也禁止员工不得使用其它公司营业机密公司；他强调，自主研发 DRAM 的计划不会因此而改变，预计明年第四季完成第一阶段的技术研发；另外，展望公司未来发展蓝图，追求获利成长仍为首要目标。

简山杰甫于今年 6 月走马上任，对于因美光指控窃密而遭起诉一事，他指出，对司法程序进行中的案件不应多言，不过，联电极有可能是遇到“商业间谍”，高度怀疑涉案员工“带枪投靠”是假的，可能“构陷入罪”才是真的，意图妨碍联电 DRAM 研发计划，不过，联电坚持自主研发 DRAM 的计划不会改变，预计将会依计划在明年第四季完成第一阶段技术开发。

而展望联电未来发展蓝图，简山杰表示，联电过去专注于先进制程投资与研发，不过，新的方向是以追求获利成长为首要目标，不会再跟同业竞争先进制程。而联电也已订下有短中长期计划，短期为专注核心技术和提升营运效率，快速改善体质与提升获利；中期目标为扩大市占，而长期目标仍是开发新技术。

稿源 ：MoneyDJ新闻