2月3日消息,据《韩国商报》报道,在近日的“SEMICON 韩国 2024”展会上,SK海力士副总裁Chun-hwan Kim透露,该公司HBM3E内存已经量产,并计划在 2026 年开始大规模生产 HBM4。
1月23日消息,随着生成式人工智能(AI)的持续火爆,市场对于高性能AI芯片的需求,也带动了此类AI芯片内部所集成的高带宽内存(HBM)的需求爆发。根据市场研究机构Gartner的预测,2023年全球HBM营收规模约为20.05亿美元,预计到2025年将翻倍成长至49.76亿美元。
2024年1月3日消息,据韩国媒体报导,随着全球DRAM芯片大厂持续减产趋势确立,加上市场需求因人工智能与高性能计算应用提升的情况下,DRAM价格持续看涨,也使产业复苏走势受人期待。韩国两大DRAM工厂三星与SK海力士分别对市况增加设备资支出与产能,牵动整体市场变化。如今,市场再度传出消息称,DRAM价格涨势再起,包括三星与美光都规划在2024年第一季度将DRMA价格调涨15%~20%。
12月29日消息,据韩国媒体Biz.Chosun透露,英伟达(NVIDIA)已向 SK 海力士、美光等公司订购大量 HBM3E 内存,为其 AI 领域的下一代产品做准备。但是英伟达的大量采购,限制了其他厂商对于有限的HBM内存的获取。
12月25日消息,据外媒Barron’s报道,美光公司在上周公布财报时,美光CEO Sanjay Mehrotra对外透露,得益于生成式AI的火爆,推动了云端高性能AI芯片对于高带宽内存(HBM)的旺盛需求,美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。
12月25日消息,据彭博社报道,当地时间24日,美光科技((Micron Technology Inc.)发言人在一封电子邮件中表示,已经与福建晋华集成电路有限公司达成全球和解协议,两家公司将在全球范围内撤回对于对方的诉讼,以结束双方之间的所有诉讼。但是,双方均拒绝透露更多细节信息。
12月21日消息,美国存储芯片大厂美光(Micron)于当地时间20日盘后公布了2024财年第一财季(8-11月)财报以及第二财季(2023年12月-2024年2月)财务预测,得益于数据中心的需求增长,弥补了PC与智能手机市场复苏缓慢的影响,美光的业绩及财测超出了华尔街预期。
12月18日消息,据日经新闻报道,因台积电、美光等半导体制造大厂积极对日本进行投资,也推动了日本半导体设备商加快技术革新、扩增产能。
12月13日消息,当地时间11日,美国纽约州长Kathy Hochul宣布,与包括IBM、美光、应用材料(Applied Materials)、东京电子(Tokyo Electron)等半导体大厂达成一项合作协议,预计将投资100亿美元在纽约州Albany NanoTech Complex(奥尔巴尼纳米技术综合体)兴建下一代High-NA EUV半导体研发中心,以支持世界上最复杂、最强大的半导体的研发。
12月4日消息,据市场研究机构TrendForce的最新研究报告显示,2023年第三季度全球DRAM产业合计营收达134.80亿美元,环比增长约18.0%。下半年需求缓步回温,买方重启备货动能,使各原厂营收皆有所成长。展望第四季,原厂涨价态度明确,第四季DRAM合约价上涨约13%~18%;需求面回温程度不如过往旺季。整体而言,买方虽有备货需求,但以目前来说,服务器领域因库存水位仍高,拉货态度仍显被动,第四季DRAM产业出货增长幅度有限。
12月1日消息,据日经新闻报导,日本政府将对半导体和其他关键项目受补贴公司制定严格规定,防止重要技术泄露给其他国家,其就包括中国大陆和俄罗斯。这种做法类似美国芯片法案的限制条款。
11月29日消息,美国存储芯片大厂美光于当地时间28日美股盘前发布新闻稿,上调了2024会计年度第一财季(9-11月)的财测目标。