SK海力士HBM4将采用第六代1c制程DRAM颗粒
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三星、SK海力士将止供应，DDR3价格大涨20%
5月13日消息，据《经济日报》报道，全球前两大DRAM供应商韩国三星电子和SK海力士正全力发展高带宽內存（HBM）与主流DDR5规格內存，今年下半年起将停止供应DDR3 DRAM，引发市场抢货潮，导致近期DDR3价格大涨，最高涨幅达20%，且下半年报价可能还会继续上涨。
2025年HBM价格将上涨约5%~10%，在整个DRAM市场的产值占比将超30%
5月6日消息，根据市场研究机构TrendForce的最新报告显示，受益于HBM（高带宽内存）销售单价较传统型DRAM高出数倍，即使相比DDR5价格差距也达到了约五倍，加上AI芯片相关产品的持续升级，也使得对于HBM容量需求增加，这将促使2023~ 2025年HBM的产能级产值在整个DRAM市场当中的比重将持续提升。
美光获得61.4亿美元补贴，目标将40%的DRAM产能转移到美国！
当地时间4月25日，美国拜登政府宣布，美国商务部与美光科技签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，将根据《芯片与科学法案》向美光提供高达约 61.4 亿美元的直接资金，以提高美国的竞争力领先的存储半导体生产。
传美光将获美国政府60亿美元补贴，最快下周公布
4月18日消息，据彭博社报道，继晶圆代工大厂英特尔、台积电、三星与格芯之后，存储芯片大厂美光（Micron）也将获美国商务部超过60亿美元的“芯片法案”补贴，以助力其美国芯片制造计划。
台湾大地震对晶圆代工、DRAM产能均无严重影响
4月5日消息，针对3日早晨中国台湾花莲县海域发生的7.3级地震，最新的消息显示，本次台湾403大地震大多晶圆代工厂都位属在震度四级的区域，加上台湾的半导体工厂多以高规格兴建，内部的减震措施都是世界顶尖水准，多半可以减震1至2级，这也使得此次地震对于台湾半导体供应链的影响相对较小。
投资43亿元，美光西安封测厂扩建项目破土动工
据存储芯片大厂美光科技官方消息，2024年3月27日，美光宣布其位于西安的封装和测试新厂房已正式破土动工，进一步强化了公司对中国运营、客户及社区的不懈承诺。美光还在奠基仪式上宣布，公司将在西安建立美光首个封装和测试制造可持续发展卓越中心（CoE），推动公司在环境、社会和治理（ESG）方面的合作伙伴关系，实现全球可持续发展目标。
美光总裁：计划扩大在华投资！
3月23日，商务部部长王文涛会见美光科技公司总裁兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉。双方就美光科技公司在华发展等议题进行了交流。
营收大涨58%，股价暴涨14%！美光：明年绝大部分HBM产能已售罄！
当地时间3月20日，美国存储芯片大厂美光（Micron）公布了截至2024年2月29日的2024财年第二季财报。
铠侠及西部数据产能利用率已提升至90%
3月19日消息，据市场研究机构TrendForce的研究显示，在目前NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利，已计划提升产能。今年3月起，铠侠/西部数据已率先将产能利用率恢复至近90%，不过其余业者均未明显增加投产规模。
HBM良率仍较低，产量堪忧？
3月4日消息，据韩国媒体DealSite报导，SK海力士、美光等HBM厂商正面临良率低迷的窘境，为了新的HBM3e能够通过英伟达（NVIDIA）下一代AI GPU的质量测试，彼此正在激烈竞争。
【深度】首座晶圆厂即将开建，印度能否成为半导体强国？
2月29日，据印度媒体报道，印度政府已核准规模高达152亿美元的半导体投资案，其中包括塔塔集团（Tata Group）携手力积电投资110美元兴建印度第一座大型晶圆厂的计划，以及印度企业集团Murugappa旗下CG Power与日本瑞萨电子和泰国Stars Microelectronics合作，在印度古吉拉特邦投资760亿卢比（约9.17亿美元）建芯片封装厂的计划，这些投资将为印度力图跻身芯片制造大国树立里程碑。
