HBM4制造难度及成本将更高，溢价幅度预计将超30%

5月22日消息，根据市场研究机构TrendForce最新发布的研究报道称，受益于AI芯片需求的带动，三大DRAM原厂正积极推动HBM4 产品进度。但因HBM4的I/O 数量增加，复杂芯片设计也使得所需的晶圆面积增加，且部分供应商产品改为采逻辑基低芯片构架以提高性能，这些都将带来成本的提升。鉴于HBM3e刚刚推出时溢价比例约20%，制造难度更高的HBM4的溢价幅度或突破30%。

相比上代产品，HBM4的I/O数从1,024翻倍提升至2,048，数据传输速率维持8.0Gbps以上，和HBM3e相当。这代表相同传输速度下，有较高信道数的HBM4可以传输的数据总量倍增。根据最新的资料显示，英伟达的最新Rubin GPU、AMD MI400都将会搭载HBM4。

目前HBM3e base die采內存构架，仅单纯信号转接。SK海力士与三星HBM4的 base die 将会转向与晶圆代工厂合作，改为采逻辑芯片构架，具备整合HBM与SoC功能，除了加速数据路径、减少延迟，高速数据传输环境更能增加稳定性。

由于需求强劲，TrendForce预估2026年HBM市场总出货量突破300亿Gb，HBM4市占率则随供应商持续放量逐季提高，2026年下半超越HBM3e系列产品，成为市场主流。至于供应商表现，SK海力士将以过半市占率稳居领导地位，三星与美光仍待产品良率与产能表现提升，才有机会迎头赶上。

编辑：芯智讯-林子