美光1γ制程LPDDR5X良率提升速度超越上代

6月27日消息，美光本周在最新的财报电话会议中宣布，已开始向客户提供采用导入极紫外光（EUV）光刻技术的新一代1γ（1-gamma）制程的首批LPDDR5X 內存样品。这也显示美光已正式进入EUV DRAM 制程时代。

美光CEO Sanjay Mehrotra 指出，目前1γ DRAM 技术节点上进展非常顺利，良率爬升速度甚至超越1ß（1-beta）节点纪录。美光在本季完成多项关键产品里程碑，包括首批基于1γ 制程的LPDDR5 DRAM 认证样品出货。

据介绍，1γ 制程是美光第六代10nm级制程节点，拥有业界最快的 10.7 Gbps速率，与前一代1ß相比性能提升15%、功耗降低20%。此外，1γ 的位密度增加30%，随着良率提升有望进而降低生产成本。除了1γ 制程的LPDDR5X 之外，美光今年也将推出基于1γ 制程的16Gb DDR5-9200 內存芯片，主打更高性能与更低功耗，不过还没公布产品最新进展。

展望未来，美光计划全面导入第六代10nm级1γ 制程，涵盖DDR5、LPDDR5X、GDDR7 及数据中心相关內存产品线。Mehrotra 强调，将在所有DRAM 产品在线导入1γ 制程，发挥此领先技术的最大效益。

虽然美光尚未透露有多少层使用EUV 技术，但推测可能主要用于原本需繁复多重曝光的关键层。美光已在日本启用首台EUV 设备，并开始量产1γ DRAM，未来也将在日本与中国台湾扩大EUV DRAM产能。

编辑：芯智讯-林子