三星研发全新旗舰机芯片，以期带动自家先进制程晶圆代工业务
5月18日消息，据韩国经济日报（Korea Economic Daily）引述匿名产业消息人士报导称，三星正为旗下5G旗舰手机打造全新的处理器芯片，预计2023年完成芯片设计，2025年开始导入自家旗舰机。业界研判，三星将通过自研先进制程的5G旗舰芯片，让自家的先进制程晶圆代工练兵，并借此维持晶圆厂的产能利用率，以追赶台积电。
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三星4nm制程良率仅35%，3nm GAA 制程良率刚达10%~20%
4月29日消息，据外媒Wccftech报导，韩国三星晶圆代工部门不仅4nm制程技术量产仍苦苦挣扎，3nm GAA架构节点制程也遇到大麻烦。按照目前的进度几乎可肯定，IC 设计大厂高通和联发科等公司将不会采用三星的3nm制程。
手握1000亿美元现金，三星欲挖台积电“墙脚”？TI/NXP/ST/瑞萨/英飞凌都是潜在目标
11月29日消息，据台湾《经济日报》报道，三星集团副会长李在镕赴美行程结束返回韩国之后，传出消息称，三星集团将凭借手上逾千亿美元的现金储备优势，可能择一收购或入股多家国际半导体大厂，潜在标的可能将包括德州仪器（TI）、瑞萨（Renesas）、恩智浦（NXP）、英飞凌（Infineon）、意法半导体（ST）等台积电重要客户。
传AMD将成为三星3nm工艺首家客户
11月18日消息，据外媒《wccftech》报导，近两年一直将处理器交由台积电代工的AMD，有可能将成为三星3nm制程首位客户。
反超台积电，三星宣布3nm GAA工艺2022年量产！2nm将于2025年量产
10月7日消息，在今日的举行的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上，三星推出了全新的17nm工艺，并宣布将于2022年上半年量产3nm制程，更先进的2nm制程将于2025年量产。
传三星将扩大在美投资，2026年引入3nm GAA制程
目前台积电美国新晶圆厂正在建设当中，而三星的美国建厂计划则相对滞后，预计量产时间将落后台积电约一年。但是，在投资金额、产能规划及当地先进制程布局上，三星似乎并不逊于台积电。根据最新传出的消息称，三星规划要在2026年将3nm环绕闸极技术（GAA）制程引入美国厂，打造全美国最先进的晶圆厂，力求弯道超车。
三星冲刺3nm GAA制程，代工相关的流程设计工具已推出
三星正在奋力冲刺3nm制程，希望借此进一步缩小与台积电的差距。最新的信息显示，三星旗下晶圆代工事业部门已和全球电子设计自动化（EDA）巨头Cadence合作推出了3nm制程相关开发工具，加速相关先进制程开发的软件程序。相较之下，台积电亿与EDA厂商于5月推出了3nm相关开发工具，三星正以三至四个月的差距紧追在后。
三星：3nm GAA技术已领先，取代台积电指日可待！
实现5nm以下制程的关键技术：复旦教授成功攻克GAA晶体管技术
12月17日消息，来自“复旦大学微电子学院”的消息显示，该校周鹏团队针对具有重大需求的3nm至5nm节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2nm的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径。据悉，相关成果已经在第66届IEDM国际电子器件大会上在线发表。
三星计划于2022年量产3纳米芯片
助力百度昆仑AI芯片量产！三星Foundry的SAFE平台到底有何优势？
7月10日上午，在2020 世界人工智能大会期间的“万物智联·芯火燎原”人工智能芯片创新主题论坛上，三星电子高级副总裁Moonsoo Kang介绍了三星Foundry是如何通过提供最佳的Silicon(硅)解决方案来帮助AI芯片实现的。同时，他也介绍了三星Foundry在晶圆代工领域的概况及最新的进展。
台积电3nm细节曝光：晶体管密度高达2.5亿个/mm²，性能及能效大幅提升
很快台积电的5nm工艺即将量产，与此同时，台积电的3nm工艺也在持续推进当中。去年7月，台积电就公开表示其 3nm 工艺的开发进展顺利，并且已经与早期客户就技术定义进行了接触。近日，台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度达到了惊人的2.5亿个/mm²！
