传三星将扩大在美投资，2026年引入3nm GAA制程

目前台积电美国新晶圆厂正在建设当中，而三星的美国建厂计划则相对滞后，预计量产时间将落后台积电约一年。但是，在投资金额、产能规划及当地先进制程布局上，三星似乎并不逊于台积电。根据最新传出的消息称，三星规划要在2026年将3nm环绕闸极技术（GAA）制程引入美国厂，打造全美国最先进的晶圆厂，力求弯道超车。

面对三星紧追，台积电向来不评论竞争对手动态。台积电是在2020年拍板美国亚利桑那州晶圆21厂新厂计划，预计2021年至2029年该厂专案支出（包括资本支出）约120亿美元（约新台币3,360亿元），2022年下半年移入机台，第一期目标2024年第1季以5nm制程生产每月2万片晶圆。

三星规划美国新厂总投资额约170亿美元（约新台币4,760亿元），比台积电多出41%，在德州泰勒市高额减税措施定案后，据了解，三星德州新厂投资案最快2022年初动工扩产，时间表虽晚于台积电亚利桑那州投资约一年，但投资额度较大。

由于三星新厂量产时间较晚，初期两家公司在美国的制程技术以台积电的5nm领先，三星则规划2024年开出当地5nm产能，紧追台积电，并传出将在2026年引进3nm环绕闸极技术（GAA）制程，目标成为美国最先进的晶圆厂。