三星：3nm GAA技术已领先，取代台积电指日可待！

8月26日消息，三星电子决心要赶在台积电前，将新一代3nm GAA制程技术商业化。

据Business Korea报道，三星Device Solution事业部技术负责人Jeong Eun-seung于25日在线上召开的三星科技暨事业论坛（Samsung Tech & Career Forum）上指出，“我们的GAA制程开发进度领先主要竞争对手（台积电），若能确实巩固技术，则三星的晶圆代工事业有望进一步茁壮成长。

GAA是实现3nm制程技术的重要一环，近期有望获全球顶尖的晶圆代工商采纳，其关键在将晶体管架构从3D（FinFET）转换成4D（GAA）。

三星已在2019年5月发布了3nm GAA制程技术的物理设计套件（PDK），并于2020年通过制程技术认证。该套件使三星3nm GAA 结构制程技术可用于高性能计算（HPC）、5G、移动和高端人工智能（AI）应用芯片生产。

三星指出，2019年跟客户测试3nm GAA设计套件后发现，这种技术可将芯片片面积缩减45%、效能提升50%。

今年6月，三星对宣布其基于GAA技术的3nm制程成已成功流片（Tape Out）。

按照三星的说法，与5nm工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。

Jeong在25日还表示，“三星2017年才成立晶圆代工事业部，但凭借公司在存储制造方面的专长，取代台积电指日可待。”他举例指出，三星曾领先台积电开发出一款采用FinFET技术的14nm产品。

不过，根据资料显示，2011~2020年期间，全球有31.4%的GAA专利来自台积电，仅20.6%来自三星。

编辑：芯智讯-林子