长江存储与Xperi达成DBI混合键合技术专利许可
10月14日消息，美国知识产权公司Xperi于当地时间10月12日宣布，其已与长江存储签署了一项许可协议，该协议包括获得与Xperi的DBI混合键合技术相关的半导体知识产权的基础组合。
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三星200层以上的第八代V-NAND已研发完成
三星执行副总裁兼闪存业务负责人Jaihyuk Song透露，三星已经获得了具有200层以上的第八代V-NAND解决方案的工作芯片，并计划根据消费者的需求将其推向市场。
泛林集团推出革命性的新刻蚀技术，推动下一代3D存储器件的制造
今日，泛林集团 (Nasdaq: LRCX) 发布了专为其最智能化的刻蚀平台Sense.i™所设计的最新介电质刻蚀技术Vantex™。基于泛林集团在刻蚀领域的领导地位，这一开创性的设计将为目前和下一代NAND和DRAM存储设备提供更高的性能和更大的可延展性。
长江存储计划今年产能提高一倍，并试产192层3D NAND
1月12日消息，据日经亚洲评论援引未具名消息人士的话报道称，长江存储计划今年将产量提高一倍至10万片晶圆，同时长江存储还计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。
华为Mate40系列“自研闪存”源自长江存储？
本月初的时候，芯智讯报道了华为Mate40系列疑似采用了华为自研的闪存的消息，由此也引发了一些争论。而现在，最新的消息显示，华为Mate40系列有采用长江存储的64层3D NAND闪存。
长江存储首次展示128层QLC闪存，已经在多家控制器厂商、SSD等终端存储产品上通过验证
8月14日，2020中国电子信息博览会（CITE2020）在深圳开幕。在展会现场，长江存储首次公开展示了其最新的128层QLC闪存。
长江存储推出128层QLC闪存，单颗容量达1.33Tb
2020年4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号： X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。
跳过96层！长江存储宣布今年将如期推出128层闪存
近日，长江存储CEO杨士宁在接受采访时最新表示，受新冠疫情影响，128层闪存的研发进度在短期确实会有所波及，但长江存储已实现全员复工，各项进度正在抓紧追赶，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。
长江存储杀向128层3D NAND，国产存储器破局国际垄断
在面对和长江存储一起经历国产NAND FLASH从无到有的八家主要合作伙伴时，长江存储CEO杨士宁(Simon)说道：“存储不是一个好做的行业，我可以很负责任跟大家说，比我在英特尔做CPU还要难。”
三星韩国华城存储工厂因断电事故停产，影响到底有多大？
北京时间2020年1月1日消息，三星电子公司今天表示，在昨天下午发生大约一分钟的断电事故后，其华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。三星在一份声明中表示，正在检查生产线以备重新启动，并正在评估造成的损失。
铠侠看淡3D XPoint前景，闪存仍将长期主导
未来十年，存储市场仍将继续追求存储的密度、速度和需求的平衡点。尽管各个厂家的技术侧重点不尽相同，但铠侠（原东芝存储器）对 3D XPoint 之类的堆叠类存储方案的前景并不看好。在今年的国际电子设备会议（IEDM）上，该公司宣布了 BiCS NAND Flash系列和即将推出的 XL-Flash 技术，并且附上了一份展现未来愿景的幻灯片。
长江存储64层堆栈3D NAND闪存量产！
在上周的2019中国国际智能产业博览会上，紫光集团首次公开展出了旗下长江存储研发的64层堆栈3D NAND闪存。今天（9月2日），长江存储正式宣布，其64层堆栈3D NAND闪存已开始量产。
