9月7日消息,据韩国媒体businesskorea报道,苹果公司已经将中国存储芯片厂商长江存储(YMTC)加入到了其将于9月7日发布的iPhone 14的NAND Flash闪存供应商名单中。
8月3日消息,韩国存储芯片制造商SK海力士今日表示,该公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC(Triple Level Cell)4D闪存芯片(NAND)样品,该芯片将于明年上半年实现量产。
7月27日消息,今年5月,存储芯片大厂美光(Micron)发布了业界首个 232 层堆栈的3D NAND芯片,昨日晚间,美光宣布其232层堆栈的TLC闪存正式量产。这是全球首个量产的超过200层的闪存,也是业界密度最高的,接口速度提升到2.4GB/s,写入速度提升100%。
5月18日消息,据台湾《电子时报》援引消息人士的话报道称,长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品,预计将在今年年底前正式推出相应产品。
5月17日消息,近日西部数据宣布,与铠侠联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代,堆叠层数达到162层,今年即投入量产。
近日,存储芯片大厂美光(Micron)发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片,并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上,预计在 2022 年底左右开始量产。
10月14日消息,美国知识产权公司Xperi于当地时间10月12日宣布,其已与长江存储签署了一项许可协议,该协议包括获得与Xperi的DBI混合键合技术相关的半导体知识产权的基础组合。
三星执行副总裁兼闪存业务负责人Jaihyuk Song透露,三星已经获得了具有200层以上的第八代V-NAND解决方案的工作芯片,并计划根据消费者的需求将其推向市场。
今日,泛林集团 (Nasdaq: LRCX) 发布了专为其最智能化的刻蚀平台Sense.i™所设计的最新介电质刻蚀技术Vantex™。基于泛林集团在刻蚀领域的领导地位,这一开创性的设计将为目前和下一代NAND和DRAM存储设备提供更高的性能和更大的可延展性。
1月12日消息,据日经亚洲评论援引未具名消息人士的话报道称,长江存储计划今年将产量提高一倍至10万片晶圆,同时长江存储还计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。
本月初的时候,芯智讯报道了华为Mate40系列疑似采用了华为自研的闪存的消息,由此也引发了一些争论。而现在,最新的消息显示,华为Mate40系列有采用长江存储的64层3D NAND闪存。
8月14日,2020中国电子信息博览会(CITE2020)在深圳开幕。在展会现场,长江存储首次公开展示了其最新的128层QLC闪存。