2020年4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号： X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。
近日，长江存储CEO杨士宁在接受采访时最新表示，受新冠疫情影响，128层闪存的研发进度在短期确实会有所波及，但长江存储已实现全员复工，各项进度正在抓紧追赶，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。
在面对和长江存储一起经历国产NAND FLASH从无到有的八家主要合作伙伴时，长江存储CEO杨士宁(Simon)说道：“存储不是一个好做的行业，我可以很负责任跟大家说，比我在英特尔做CPU还要难。”
北京时间2020年1月1日消息，三星电子公司今天表示，在昨天下午发生大约一分钟的断电事故后，其华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。三星在一份声明中表示，正在检查生产线以备重新启动，并正在评估造成的损失。
未来十年，存储市场仍将继续追求存储的密度、速度和需求的平衡点。尽管各个厂家的技术侧重点不尽相同，但铠侠（原东芝存储器）对 3D XPoint 之类的堆叠类存储方案的前景并不看好。在今年的国际电子设备会议（IEDM）上，该公司宣布了 BiCS NAND Flash系列和即将推出的 XL-Flash 技术，并且附上了一份展现未来愿景的幻灯片。
在上周的2019中国国际智能产业博览会上，紫光集团首次公开展出了旗下长江存储研发的64层堆栈3D NAND闪存。今天（9月2日），长江存储正式宣布，其64层堆栈3D NAND闪存已开始量产。
在今天召开的2019中国国际智能产业博览会上，紫光集团展出了旗下芯片及云计算等领域的最新进展，其中首次公开展出了旗下长江存储研发的64层堆栈3D闪存，采用了Xtacking堆栈结构，核心容量也提升到了256Gb。
5月15日，在上海举办的GSA MEMERY＋论坛上，三星表示，未来5年内，3D NAND堆叠层数将达到500层，10年内将可达到1000层。
日前，紫光宏茂宣布实现大容量企业级3D NAND芯片封测的规模量产，这标志着内资封测产业在3D NAND先进封装测试技术实现重大突破，助推紫光构建存储芯片完整产业链。
中国正在加快半导体芯片国产化，2018年底或将开始提供具有自主知识产权的3D NAND闪存芯片。
据韩国媒体报道，为了满足PC、智能手机市场对NAND闪存的持续高需求，Intel正在与中国紫光集团谈判，授权其生产64层3D NAND闪存。
