历史首次！三星将使用长江存储专利技术！
据韩国媒体ZDNet Korea 2月24日报道称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。
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应用材料推出全新半导体检测系统，助力2nm及以下尖端制程芯片制造
当地时间2025年2月19日，半导体设备大厂应用材料宣布推出了一款新的半导体缺陷检测系统——SEMVision™ H20，以帮助领先的半导体制造商继续突破芯片微缩的极限。该系统将业界最灵敏的电子束 (eBeam) 技术与先进的 AI 图像识别相结合，可以更好、更快地分析世界上最先进芯片中埋藏的纳米级缺陷。
助力3D NAND突破1000层，泛林集团推出第三代低温电介质蚀刻技术
当地时间7月31日，美国半导体设备大厂泛林集团（Lam Research）宣布推出经过公司生产验证的第三代低温电介质蚀刻技术Lam Cryo 3.0，将进一步巩固泛林集团其在 3D NAND 闪存蚀刻领域的领导地位。
长江存储再度“亮剑”：起诉美光其侵犯11项美国专利！
7月20日消息，据Tomshardware报道，中国3D NAND Flash大厂长江存储（YMTC）近日在美国加利福尼亚州北部地区再度对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。
长江存储起诉美光资助的咨询公司及其副总裁，指控其散布虚假信息！
据“出口管制合规研究”消息显示，今年6月份，国产存储芯片厂商长江存储（YMTC）在美国加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁罗丝琳·雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。
三星将于本月量产290层NAND，明年还将推出430层NAND
4月12日消息，据韩国媒体据Kedglobal报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子公司将于本月晚些时候开始批量生产 290 层第九代垂直 (V9) NAND 芯片，以引领行业向高堆叠高密度闪存过渡的竞争对手。另据业内消息人士于本周四表示，随着人工智能时代对高性能和大型存储设备的需求增长，三星电子还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
长江存储推出新一代QLC闪存：读写速度提升100%，寿命可达4000次擦写！
3月22日消息，近日的中国闪存市场峰会上，长江存储展示了一系列产品和技术解决方案，包括新一代QLC 3D NAND闪存，内部代号“X3-6070”，就有着极为优秀的素质，可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。
三星即将推出280层3D QLC NAND Flash
1月30日消息，三星已宣布即将于2月18日至2月22日在美国旧金山举行的IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，介绍其280层堆叠的3D QLC NAND Flash，这将是迄今为止储存数据密度最高的新型3D QLC NAND Flash。
长江存储“亮剑”：在美起诉美光侵犯其8项3D NAND专利！
11月11日消息，芯智讯通过美国加州北区地方法院最新公布的信息了解到，中国3D NAND闪存制造商——长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）已于11月9日在美国加州北区地方法院对美国美光科技公司（MICRON）和美光消费类产品事业部（MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC）（以下统称“美光”）提起诉讼，指控美光侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。
三星证实明年将生产300层以上的NAND Flash
10月19日消息，据外媒Tomshardware报道，韩国存储芯片大厂三星公布了V-NAND（即3D NAND）发展计划，证实将在2024年生产超过300层的第九代V-NAND芯片。
走向垂直：Gate All around、3D DRAM、3D NAND
10月16日消息，据semianalysis报道，大型私营半导体设备公司所剩无几，其中最突出的两家是日本国际电气（Kokusai Electric ）和奥地利 EV Group。两家公司都是令人惊叹的公司，都利用了 Gate All around 逻辑和 3D NAND 的趋势。就 EV Group 而言，情况非常简单，用于异构集成和背面电力传输的晶圆键合机。
