长江存储“亮剑”：在美起诉美光侵犯其8项3D NAND专利！
11月11日消息，芯智讯通过美国加州北区地方法院最新公布的信息了解到，中国3D NAND闪存制造商——长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）已于11月9日在美国加州北区地方法院对美国美光科技公司（MICRON）和美光消费类产品事业部（MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC）（以下统称“美光”）提起诉讼，指控美光侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。
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三星证实明年将生产300层以上的NAND Flash
10月19日消息，据外媒Tomshardware报道，韩国存储芯片大厂三星公布了V-NAND（即3D NAND）发展计划，证实将在2024年生产超过300层的第九代V-NAND芯片。
走向垂直：Gate All around、3D DRAM、3D NAND
10月16日消息，据semianalysis报道，大型私营半导体设备公司所剩无几，其中最突出的两家是日本国际电气（Kokusai Electric ）和奥地利 EV Group。两家公司都是令人惊叹的公司，都利用了 Gate All around 逻辑和 3D NAND 的趋势。就 EV Group 而言，情况非常简单，用于异构集成和背面电力传输的晶圆键合机。
长江存储被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND将迈入300层！
2022年，美光、SK海力士、三星等相继量产了232层3D NAND Flash，但是在美方的制裁之下，长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍。在此背景之下，这些国际大厂纷纷加速迈向300层，希望能主导未来3D NAND Flash的技术路线。
密码保护：YMTC 232层3D NAND拆解：采用了多项先进技术，密度高达15.47Gb/mm2
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扩产受阻！传长江存储大砍设备采购订单：北方华创遭砍单70%！
2月12日消息，据外媒报道，中国大陆NAND Flash大厂长江存储近几个月大幅削减半导体生产设备订单，其中，对于国产半导体设备大厂北方华创的采购订单就遭暴砍了70%。这也反映了长江存储的扩产计划受到了阻碍。
长存/三星/SK海力士/美光最新3D NAND芯片对比：谁的密度更高？
目前，多家存储芯片厂商都已经量产了232层的NAND Flash芯片，近日，芯片分析机构TechInsights对长存（YMTC）、三星、SK海力士和美光最新的NAND Flash闪存芯片进行了比较，主要对比了芯片尺寸、位元密度、有源层、字线间距等因素。
三星宣布量产236层3D NAND闪存芯片，PCIe 5 SSD速度可超12GB/s
11 月 7 日消息，三星电子今日宣布量产236层 3D NAND 闪存芯片，这是三星产品中具有最高存储密度的1Tb (128GB) 三比特单元（TLC）的第8代V-NAND。
传长江存储发生人士变动：原CEO杨士宁升任常务副董，执行董事长陈南翔兼任CEO
9月30日消息，据业内传闻称，国内唯一的3D NAND Flash闪存制造厂商长江存储近日发生高层人事变动，原CEO杨士宁升任为常务副董，目前CEO一职由执行董事长陈南翔兼任。
长江存储将为苹果iPhone 14供应NAND闪存芯片
9月7日消息，据韩国媒体businesskorea报道，苹果公司已经将中国存储芯片厂商长江存储（YMTC）加入到了其将于9月7日发布的iPhone 14的NAND Flash闪存供应商名单中。
SK海力士发布全球首款238层闪存芯片，明年上半年量产
8月3日消息，韩国存储芯片制造商SK海力士今日表示，该公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D闪存芯片（NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。
美光232层TLC闪存量产：性能翻倍，密度全球最高！
7月27日消息，今年5月，存储芯片大厂美光（Micron）发布了业界首个 232 层堆栈的3D NAND芯片，昨日晚间，美光宣布其232层堆栈的TLC闪存正式量产。这是全球首个量产的超过200层的闪存，也是业界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/s，写入速度提升100%。
