长江存储推出新一代QLC闪存:读写速度提升100%,寿命可达4000次擦写!

长江存储推出新一代QLC闪存:读写速度提升100%,寿命可达4000次PE!

3月22日消息,近日的中国闪存市场峰会上,长江存储展示了一系列产品和技术解决方案,包括新一代QLC 3D NAND闪存,内部代号“X3-6070”,就有着极为优秀的素质,可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。

据介绍,X3-6070的I/O接口速度达到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同时读取、写入速度都有着接近100%的提升。更不可思议的是可靠性和寿命,P/E编程擦写循环居然能做到惊人的4000次,是上代产品的4倍!

要知道,常规的MLC闪存也只能做到3000次左右的P/E,TLC闪存初期仅为100-150次,成熟后不过1000次左右,企业级增强版也只有3000次。

据长江存储的工作人员透露,他们的QLC闪存之所以能做到4000次P/E,一方面来自独特的Xtackig精湛架构,另一方面也是工艺和技术日渐成熟的结果。

当然,不是所有的QLC都有这么高的水平,仅限企业级产品,而且要看良品率,消费级最高可以做到2000次左右。

具体到实际产品中,情况也会有所不同,要看产品定位和设计,要结合写入放大因素,比如长江存储自有品牌的首款QLC产品,致态Ti600,估计只有600次左右。

在OEM领域,长江存储的下一代PC41Q将引入QLC,可用于笔记本、台式机、一体机等。

它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4,读写带宽5.5GB/s,动态功耗低于4W,PS4待机功耗低于2mW,并拥有媲美TLC的高可靠性和数据保持能力,平均故障间隔时间达200万小时,可以在30℃环境下稳定保存数据1年之久。

除了QLC闪存外,长江存储还展示了企业级SSD和嵌入式UFS/eMMC等产品。

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