三星即将推出280层3D QLC NAND Flash

1月30日消息，三星已宣布即将于2月18日至2月22日在美国旧金山举行的IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，介绍其280层堆叠的3D QLC NAND Flash，这将是迄今为止储存数据密度最高的新型3D QLC NAND Flash。

根据三星即将演讲的主题《A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm² Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed 10 Rate》来观察，其280层堆叠的1Tb QLC 3D QLC NAND闪存将具有以下特性：

首先，该280层3D NAND Flash将是由280层的储存单元垂直堆叠而成，这进一步提高了储存的密度。

其次，其单颗芯片容量达到了1Tb，即1024 G bit。

第三，“4b / cell”是指每个储存单元可以储存4个二进位，即每数据占用0.25个储存单元。

第四，“28.5Gb / mm²” 指的是“存储密度”，即每平方毫米面积的储存单元可储存28.5Gb数据，这个储存密度可谓是极高。

第五，“3.2GB/s High-Speed 10 Rate”是指该闪存芯片读取数据的最高速度为3.2GB/s，High-Speed 10 Rate可能指的是某种特定的接口标准或传输协议。

根据三星此前曝光的PPT来看，其QLC NAND V9闪存可以提供最高8TB的M.2硬盘，I/O速度超过单个芯片2.4Gbps，原始性能可与当今TLC闪存直接竞争。但具体上市产品表现如何，则仍需要后续的持续观察。

编辑：芯智讯-林子