长江存储计划今年产能提高一倍，并试产192层3D NAND

1月12日消息，据日经亚洲评论援引未具名消息人士的话报道称，长江存储计划今年将产量提高一倍至10万片晶圆，同时长江存储还计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。

两名知情人士表示，长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍，至10万片晶圆，约占全球总产量的7%。这将有助于该公司缩小与全球先进制造商之间的差距。据悉，三星电子目前每月约生产48万片晶圆，而美光的月产能约为18万片。

报道指出，长江存储除计划增产外，也在加快技术开发进程。

知情人士表示，长江存储最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。不过，因先进工艺的复杂性，需要时间确保量产芯片质量，这一计划有可能会被推迟到今年下半年。

长江存储于去年4月宣布完成128层3D NAND闪存芯片的开发工作，并于去年年底开始批量生产。而三星和美光等厂商目前仍致力于开发176层3D NAND闪存芯片，最先进的量产产品仅128层。

其中一名消息人士表示，“对于增产的部分，长江存储自2020年第三季度以来一直忙于引入和安置必要的芯片设备，以及扩大生产线。该公司目前生产64层和128层3D NAND闪存芯片，日后将逐步增加后者的比例。”

一名消息人士还指出，长江存储的128层芯片的良率目前在70%左右，仍有提高的空间。不过，半导体行业的另一位高管则表示，“这已经是一个重大突破，但长江存储仍需要大量的企业合作，同时等待全球顶级客户接受并采用其NAND闪存产品。”

据了解，长江存储的国内客户包括联想和华为等。

值得一提的是，日经指出，长江存储已经撼动了全球NAND闪存市场。当英特尔在2020年将旗下的NAND闪存业务出售给SK海力士的时候，一些市场观察人士认为，此举是这家美国芯片制造商为了避免可能来自长江存储的激烈竞争所做出的决定。除此之外，长江存储还是中国建立自主的半导体产业链的重要推动力。