台积电正式公布2nm： 采用GAAFET晶体管架构，功耗降低30%
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日本计划携手美国在2025年生产2nm芯片
6月15日消息，据日经新闻报道，日本将与美国合作，最早在 2025 财年启动本土2nm半导体制造基地，加入下一代芯片技术商业化的竞赛。据悉，日本和美国将根据双边芯片技术伙伴关系提供支持。两国私营企业将进行设计和量产研究。
台积电启动2nm晶圆厂建设，预计2025年量产
4月21日消息，据台湾媒体报道，晶圆代工龙头台积电位于台湾竹科宝山二期的2nm晶圆厂Fab 20建厂计划已正式启动。
ASML下一代EUV光刻机将提前量产：售价3亿美元，Intel首发采用
在上月的ITF大会上，imec（比利时微电子研究中心）公布的蓝图显示，2025年后晶体管进入埃米尺度（Å，angstrom，1埃 = 0.1纳米），其中2025对应A14（14Å=1.4纳米），2027年为A10（10Å=1nm）、2029年为A7（7Å＝0.7纳米）。
IBM中国揭秘首款2nm芯片：最小元件比DNA单链还要小
11月25日消息，IBM中国近日发布一段题为《YYDS！IBM发布全球首个2nm芯片》的视频，对于IBM的2nm芯片进行了介绍。
占据90%光刻机市场！狂奔中的ASML，依然看不到任何对手
作为全球最大的半导体光刻系统供应商，ASML同时也是全球唯一的极紫外光刻 (EUV) 机供应商。EUV光刻系统也被认为是目前最先进的芯片制造工具之一，可以让芯片制造商在7nm及以下先进制程芯片制造中占据优势，并使得摩尔定律能够得以延续。
反超台积电，三星宣布3nm GAA工艺2022年量产！2nm将于2025年量产
10月7日消息，在今日的举行的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上，三星推出了全新的17nm工艺，并宣布将于2022年上半年量产3nm制程，更先进的2nm制程将于2025年量产。
大突破！IBM全球首发2nm制程芯片及制造技术
5月7日消息，虽然半导体制程工艺的持续推进变得越来越困难，但是根据台积电此前透露的信息显示，其已在2nm工艺上取得了重大突破，乐观的情况下，2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产，2024年可能将步入量产阶段。不过，在台积电之前，近日IBM抢先发布了全球首款2nm制程的芯片。
总投资或达4645亿元，2/3nm厂建设加速！传台积电还将赴美建6座12吋厂
据台湾工商时报报道，全球晶圆代工龙头台积电已启动3nm晶圆厂Fab 18B厂兴建，预期明年下半年进入量产，至于选定在新竹宝山兴建的2nm晶圆厂虽然仍有环评问题有待解决，但新厂预估会在明年下半年动土兴建。据半导体设备商预估，台积电3nm及2nm的技术研发及产能投资，合计超过新台币2兆元（约合人民币4645亿元，718.7亿美元）的大投资计划已正式启动，半导体设备厂将直接受益。
揭秘3nm/2nm工艺的新一代晶体管结构
Intel、三星、台积电和其他公司正在为从今天的FinFET晶体管向3nm和2nm节点的新型全栅场效应晶体管（GAA FET）过渡奠定基础，这种过渡将从明年或2023年开始。
台积电2nm工艺获重大突破
如今5nm才刚刚量产不久，台积电的技术储备就已经进展到了2nm，并朝着1nm迈进。根据最新报道，台积电已经在2nm工艺上取得一项重大的内部突破，虽未披露细节，但是据此乐观预计，2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产，2024年就能步入量产阶段。
台积电2nm工艺重大突破！2023年风险试产良率或达90%
据台湾经济日报报道，台积电2nm工艺取得重大突破，研发进度超前，业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。供应链透露，有别于3nm和5nm采用鳍式场效应晶体管（FinFET），台积电的2nm工艺改用全新的多桥通道场效电晶体（MBCFET）架构。
