台积电正式公布2nm： 采用GAAFET晶体管架构，功耗降低30%

技术指标方面，台积电披露，N2相较于N3，在相同功耗下，速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%，开启高效能新纪元。

就纵向对比来看，2nm之于3nm的提升，似乎不如3nm之于5nm，包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心参数。

在微观结构上，N2采用纳米片电晶体（Nanosheet），取代FinFET（鳍式场效应晶体管），外界普遍认为，纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET（环绕栅极晶体管）。

台积电还表示，N2不仅有面向移动处理器的标准工艺，还会有针对高性能运算和小芯片（Chiplet）的整合方案。

时间节奏方面，N2将于2025年量产。

另外，根据台积电最新技术路线图，第一代3nm（N3）定于下半年量产，3nm也会比较长寿，后续还有N3E、N3P和N3X。