台积电2nm工艺获重大突破

如今5nm才刚刚量产不久，台积电的技术储备就已经进展到了2nm，并朝着1nm迈进。根据最新报道，台积电已经在2nm工艺上取得一项重大的内部突破，虽未披露细节，但是据此乐观预计，2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产，2024年就能步入量产阶段。

台积电还表示，2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距，同时延续摩尔定律，继续挺进1nm工艺的研发。预计，苹果、高通、NVIDIA、AMD等客户都有望率先采纳其2nm工艺，此前关于摩尔定律已经失效的结论或许就要被台积电再次打破了。

2nm工艺上，台积电将放弃延续多年的FinFET(鳍式场效应晶体管)，甚至不使用三星规划在3nm工艺上使用的GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)，也就是纳米线(nanowire)，而是将其拓展成为“MBCFET”(多桥通道场效应晶体管)，也就是纳米片(nanosheet)。

从GAAFET到MBCFET，从纳米线到纳米片，可以视为从二维到三维的跃进，能够大大改进电路控制，降低漏电率。新工艺的成本越发会成为天文数字，三星已经在5nm工艺研发上已经投入了大约4.8亿美元，3nm GAAFET上会大大超过5亿美元。