AMD前高管加盟三星，补强Exynos系统整合能力
12月22日消息，据外媒Wccftech 报导，三星电子在正式发表新一代移动处理器Exynos 2600 后，随即宣布一项关键人事认为，招募 AMD 前副总裁John Rayfield 出任Samsung Austin Research Center（SARC，三星奥斯汀研究中心）与Advanced Computing Lab（ACL，高级计算实验室）的资深副总裁（SVP）。
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标签： 三星
传英特尔PCH芯片将交由三星8nm生产
12月19日消息，据韩国媒体Hankyung报道，英特尔已将其新一代平台控制器（Platform Controller Hub，PCH）的生产订单交由三星晶圆代工执行，预计将采用三星较为成熟的8nm制程制造。
存储芯片暴涨！三星对内部员工及代理商收回扣问题展开调查
12月18日消息，据台媒报道，由于存储芯片持续供不应求、价格上涨，导致不少手握资源的存储芯片原厂员工与代理商涉嫌在相关交易上收受回扣。对此，业界传出消息称，三星电子总部已低调派遣多名调查人员来台，展开“内部调查”。
三星发布10nm以下的DRAM技术
12月16日，三星电子在旧金山举行的第70届国际电子器件会议上宣布，其旗下三星先进技术研究所（SAIT）成功开发出一种新型晶体管，能够在10nm以下的制程节点上生产DRAM，这个突破将解决移动DRAM发展中的关键挑战。这项技术的重点在于实现小于10nm的DRAM 制程，这对于移动DRAM 来说是一个重要的障碍，因为传统的演进方法已经达到物理极限。
三星将逐步停产SATA SSD固态硬盘？官方回应
12月16日消息，随着美光宣布退出Crucial消费类存储业务后，近日市场又传出三星计划逐步停产SATA SSD固态硬盘，以便将生产线重新分配给人工智能（AI）所需的存储产品的消息。
三星或将为AMD代工2nm芯片
12月14日消息，据韩国媒体Sedaily报道，继特斯拉和苹果之后，AMD正与三星晶圆代工业务部门洽谈SF2（2nm）制程工艺的代工合作，可能会将EPYC Venice CPU交由三星2nm代工。
传三星将开放HPB先进散热封装技术，苹果、高通有望采用
12月12日消息，据韩国媒体ET News报导，三星电子正计划将Exynos 2600所使用的Heat Pass Block（HPB）先进散热封装技术开放给外部客户，高通和苹果公司有可能会考虑导入。
汇顶折叠屏触控+指纹方案赋能三星折叠屏旗舰Galaxy Z TriFold
近日，三星正式发布折叠屏旗舰手机 Galaxy Z TriFold。汇顶科技为这款重磅旗舰提供全球领先的折叠屏主屏+副屏触控与超窄侧边指纹方案，助力打造更沉浸的巨屏交互与便捷解锁体验。
为提升获利，DRAM三巨头“分道扬镳”
12月5日消息，面对当前DRAM市场供不应求、价格持续上涨的局面，三星电子、SK海力士、美光这三大DRAM采取了不同的应对策略：三星电子拟减产HBM3E来扩大通用DRAM供给；而SK海力士则聚焦扩大数据中心/企业级所需的DRAM产品的供给，但也考虑扩大通用DRAM供给；美光则完全转向了满足数据中心/企业级需求，甚至不惜砍掉自己的消费类品牌。
三星4nm良率升至70%，成功拿下Tsavorite的1亿美元代工订单
12月7日消息，据韩国媒体AJU News报道，三星电子近日赢得了美国人工智能（AI）芯片初创公司Tsavorite的代工订单，将利用其4nm制程工艺为Tsavorite代工AI芯片，金额超过了1亿美元。
传英伟达抢下台积电A16制程首发，成唯一合作客户
12月2日消息，据外媒Wccftech报导，来自供应链的消息显示，英伟达极有可能成为台积电下一代的A16制程（1.6nm）首个客户，其新一代GPU“Feynman”将有望首发采用。英伟达也是目前唯一传闻将会采用台积电A16制程的厂商。
三星最新研究登上《Nature》：新型FeFET 3D NAND功耗暴降96%
12月2日消息，三星电子旗下先进技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）的研究团队近日在国际权威期刊《Nature》上发表了题为《用于低功耗NAND Flash的铁电场效应晶体管》（Ferroelectric transistors for low-power NAND flash memory）的研究报告，提出基于铁电场效应晶体管（FeFET）的新型3D NAND构架，成功将能耗降低高达96%。