8月9日,晶方科技发布公告,宣布旗下苏州晶方集成电路产业投资基金合伙企业(有限合伙)(以下简称“晶方产业基金”)已与以色列VisIC Technologies Ltd.(以下简称“VisIC公司”)签订投资协议,出资1000万美元投资VisIC公司,交易完成后将持有VisIC公司7.94%的股权。
8月9日消息,据浦东时报报道,上海市公示了“瀚镓GaN自支撑晶圆制造关键技术研发与产业化项目的环评公示”。根据公示内容显示,上海瀚镓半导体科技有限公司(以下简称“上海瀚镓”)将在上海市浦东新区建设“4英寸GaN高质量自支撑晶圆的研发及中试”产线。
8月3日消息,据BUSINESS WIRE报道,美国GaN器件供应商Transphorm公司宣布,联合JCP Capital收购其与富士通半导体合资的AFSW晶圆厂的100%股权。
6月23日消息,今天上午,总投资160亿元的湖南三安半导体产业园项目一期正式点亮投产,这也是国内首条、全球第三条碳化硅全产业链生产线,月产能可达30000片6英寸碳化硅晶圆。
第三代半导体是未来十年最关键的半导体技术,涉及新能源、电动车、国防和航太工业的发展。但在全球第三代半导体竞赛中,中国台湾的实力又如何呢?
近日,在SEMICON China大展的功率与化合物半导体国际论坛上,闻泰科技副总裁吴友文演讲中表示,“第三代化合物功率半导体将全方位助力电动车零排放革命”。电动汽车的未来是“行驶里程延长、充电时间缩短,电池容量更大”,第三代化合物功率半导体将是实现该项目标的关键性因素。
3月12日消息,昨日闻泰科技全资子公司、全球功率半导体领先企业安世半导体宣布与国内汽车行业龙头企业联合汽车电子有限公司(简称UAES)在功率半导体氮化镓(GaN)领域展开深度合作,旨在满足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技术需求,并共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发和应用。
继去年9月,全球最大氮化镓工厂——英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段之后,2021年1月21日,英诺赛科科技有限公司和ASML公司达成批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议,用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。
根据 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半导体报告》,在混合动力及电动汽车、电源和光伏逆变器需求的拉动下,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的新兴市场预计在 2021 年突破 10 亿美元。
9月19日,英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段,标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成,同时也标志着中国半导体创新史步入一个新纪元。
电信通讯技术发展到 5G 世代,频率升高,频宽增加已经是个趋势,这促使射频重要性不断提升,且单颗射频芯片的价格也持续增加。根据 Skyworks 资料显示,4G 高阶旗舰机型每颗射频价格为 28 美元,5G 旗舰机型则增加至 40 美元。
倍思于2019年推出了首款2C1A GaN氮化镓充电器引爆了的氮化镓充电器市场,热度持续不减,2020年2月25日,倍思再度推出全球第一款氮化镓+碳化硅 (GaN+SiC) 充电器,并在kickstarter众筹成功。该产品功率高达120W,并且同样搭配2C1A多口输出配置,相信也会引领一波热销。