6月23日消息，今天上午，总投资160亿元的湖南三安半导体产业园项目一期正式点亮投产，这也是国内首条、全球第三条碳化硅全产业链生产线，月产能可达30000片6英寸碳化硅晶圆。
资料显示，湖南三安半导体产业园项目投资总160亿元，规划用地面积约1000亩，定位为以碳化硅、氮化镓等为主的具备自主知识产权的第三代半导体全产业链生产与研发基地，项目分两期建设，一期主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。项目全面建成投产后，将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链产线，产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件，可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线（5G）通讯等。预计届时将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。
去年6月16日晚间，三安光电就发布公告宣布，计划以现金投资160亿元，在湖南省长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设第三代半导体产业园项目。该项目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链。而在此前一天，三安光电已经与长沙高新技术产业开发区管理委员会了签署《项目投资建设合同》。
根据当时的计划，三安光电将在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72个月内实现达产。而自去年6月15日签约，到去年7月20日正式动工，到今年1月19日，该项目最大单体M2B芯片厂房顺就利完成封顶，再到今天湖南三安半导体产业园一期项目成功点亮投产，总共才仅仅用了12个月左右的时间，相比规划的24个月的时间，提前了近一年。
福建三安集团董事长林秀成也点赞了湖南的“高新速度”，并表示企业将以全球尖端技术、国际人才团队、先进设备和丰富产业经验，全力推进湖南三安半导体项目投产达效。
长沙高新区管委会主任郭力夫表示，“下一步，我们将重点发展硅基功率半导体和第三代半导体产业，建设国家级功率半导体创新中心，营造最优质的产业生态，将长沙高新区打造成国家功率半导体产业发展高地、第三代半导体材料及器件的全球制高点、国家功率半导体成套国产装备供应基地。”
作为国内第三代半导体的龙头企业，三安光电在多年前就已经开始了布局。资料显示，三安光电早在2014年就已经通过投资三安集成发展砷化镓，成为大陆第一家研发与生产化合物半导体的厂商。2017年底，三安光电更斥资人民币333亿元，在福建泉州南安高新技术产业园区投资第三代化合物半导体材料。包含高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目；高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目等。2019年4月26日，三安光电发布公告称，拟投资120亿元在湖北省葛店经济技术开发区兴办Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体项目，主要生产经营Mini／Micro LED外延与芯片产品及相关应用的研发、生产、销售。2019年11月，三安光电又宣布募资投入总投资金额138.05亿元的半导体研发与产业化项目（一期），该项目也涉及氮化镓芯片的研发、生产。再加上此次湖南三安半导体产业园的点亮投产，三安光电在第三代半导体领域的实力进一步得到增强。值得一提的是，截至目前，湖南三安半导体已累计获得政府补助资金超过7亿元。
编辑：芯智讯-林子 综合自网络
