当地时间9月28日，纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布，已获得美国政府授予的ALATTIS项目，将开发下一代10 kV碳化硅（SiC）功率半导体技术。该项目由美国陆军研究实验室（ARL）赞助，ARL隶属于美国陆军作战能力发展司令部（DEVCOM），并得到联合实验与技术加速器（JETX）的支持。
纳微半导体表示，经过严格的竞争性评估，美国陆军从多家美国领先的碳化硅技术公司中选择了纳微半导体，评估标准包括公司在超高电压SiC技术领域的领导地位、提供国防级性能与可靠性的成熟能力，以及其以美国为核心的制造生态系统。
ALATTIS全称为“加速型大面积10 kV碳化硅绝缘栅双极型晶体管原型项目”（Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT）。该原型项目旨在通过迭代设计、制造与测试，开发、执行并验证一种用于超高压（≥10 kV）SiC功率半导体器件的新型本土制造工艺——该工艺目前在美国尚不具备。
项目核心目标是开发用于武装部队关键任务系统的下一代10 kV SiC绝缘栅双极晶体管（IGBT）及相关PiN二极管技术。ALATTIS由JETX提供支持，旨在推进用于关键国防和基础设施应用的高功率电子技术的发展。
纳微半导体高级副总裁兼首席技术官Siddarth Sundaresan表示：“ALATTIS奖项的获得标志着超高压碳化硅功率器件发展的一个重要里程碑，也认可了纳微半导体二十多年来在提供可靠的超高压大功率SiC技术方面的创新。该项目使纳微半导体能够将其领先地位扩展到SiC MOSFET之外，通过开发基于我们独特的专利沟槽辅助平面（TAP）架构并集成先进PiN二极管技术的下一代10 kV SiC IGBT。”
纳微半导体的GeneSiC™ SiC功率半导体产品组合目前涵盖650 V至6.5 kV的电压等级，以其旗舰级沟槽辅助平面（TAP）MOSFET架构为核心，并由稳健的美国本土供应链进行设计、制造和支持。
该公司在超高电压SiC领域拥有多项行业首创纪录：2010年推出6.5 kV碳化硅晶闸管，荣获当年R&D 100奖；2012年推出10–15 kV PiN二极管；2021年实现6.5 kV SiC MOSFET商用。
此次ALATTIS项目将推动纳微半导体的SiC技术进一步向10 kV超高电压领域延伸。10 kV SiC器件相比商用SiC元件（多集中于1.2 kV至3.3 kV）属于超高电压应用范畴，可用于军事电力系统、高压直流输配电及大型电力转换设备。
编辑：芯智讯-林子
