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三星完成400层NAND Flash开发,最快2025年二季度末量产

12月9日消息,根据韩国媒体BusinessKorea报道称,三星电子在其半导体研究所中已经成功完成了突破性400层堆叠NAND Flash闪存技术的开发。同时,三星也自上个月开始,将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中大规模生产线。而这一重要的里程碑的达成,将使得三星处于NAND Flash技术的领先位置,将有望领先已经宣布计划量产321层NAND Flash的SK海力士。

2024Q3全球前十大晶圆代工厂排名:台积电以64.9%份额居第一,中芯国际站稳第三

12月5月消息,根据市场研究机构TrendForce集邦咨询最新公布的报告显示,2024年第三季尽管总体经济情况未明显好转,但受益于下半年智能手机、PC/笔电新品带动供应链备货,加上AI服务器相关HPC需求持续强劲,整体晶圆代工产能利用率较第二季改善,第三季全球前十大晶圆代工业者产值季增9.1%,达349亿美元,这一成绩部分原因归功于高价的台积电3nm制程大量贡献产出,打破疫情期间创下的历史纪录。

美国对华HBM出口管制规则公布:三大HBM原厂均受限

当地时间12月2日,美国《联邦公报》网站公布了由美国商务部工业和安全局(BIS)修订的新的《出口管制条例》(EAR),在正式将140家中国半导体相关企业列入了实体清单的同时,还公布了对于高带宽内存(HBM)的出口管制规则。

三星与SK海力士合作,加速低功耗LPDDR6-PIM产品标准化

12月2日消息,据businesskorea报道,韩国存储芯片大厂三星电子与SK海力士正在合作研发标准化LPDDR6的存内计算(Processing In Memory,PIM)产品,以加速人工智能(AI)专用低功耗DRAM的标准化,以配合“端侧AI”(on-device AI)的趋势。两家公司认为有必要结盟,以将下一代DRAM商品化。
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AMD获玻璃基板专利,有望2026年商用

11月27日消息,据Tom's hardware报道,近日处理器大厂AMD已获得一项涵盖玻璃芯基板技术的专利 (专利号“12080632”),这也反应了AMD正在积极的研究玻璃芯基板技术,为其在2025年至2026年间采用玻璃基板为其芯片打造超高性能系统级封装(SiP)的计划提供助力,同时也避免相关专利风险。