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传三星拿下小部分高通骁龙8 Elite Gen 2 代工订单

传高通新一代骁龙Galaxy定制版处理器将交由三星2nm代工

6月26日消息,据外媒Business Post 报导,三星计划2026年推出的新一代旗舰智能手机Galaxy S26系列除了将会采用基于自家2nm制程代工的Exynos 2600之外,还将会采用高通(Qualcomm)新一代的骁龙8系列旗舰芯片,型号或为Snapdragon 8 Elite Gen 2 。不过,此次高通的Snapdragon 8 Elite Gen 2 将不会由台积电独家利用N3P制程代工,而是会有部分交由三星2nm制程代工,作为专为三星Galaxy 旗舰系列供应的版本。

美国拟撤销对三星/SK海力士/台积电在华晶圆厂“豁免”

当地时间6月20日,据《华尔街日报》援引知情人士的话报道称,负责美国商务部工业和安全局(BIS)的商务部副部长杰弗里·凯斯勒 (Jeffrey Kessler) 已经通知三星电子、SK海力士、台积电等在中国大陆拥有晶圆厂的晶圆制造商,美国计划取消允许它们在中国使用美国技术(主要是半导体设备)的豁免。

制造难度太大,三星推迟430层NAND Flash量产

6月17日消息,据韩国媒体ZDnet Korea 报导,面临复杂的内外部挑战,三星目前正就其下一代430层堆叠的V10 NAND Flash 的量产策略进行深度审慎评价,原预计于2025年下半年启动,现在则可能推迟到2026年上半年才能进行大规模的量产投资。至于延宕的主因,包括高堆叠层数NAND Flash 需求的市场不确定性、引进新技术所伴随的庞大成本压力,以及新制程技术实际应用上的困难。

三星获得AMD MI350系列HBM3E订单

6月16日消息,据韩国媒体Business Korea 报导,处理器大厂AMD于上周发布的全新人工智能(AI)芯片MI350 系列将搭载三星电子的12层堆叠的HBM3E高带宽内存。这对三星电子来是个好消息,因为该公司在英伟达的HBM 认证方面一直遭遇挫折。此外,AMD 将于2026年推出的下一代MI400 系列芯片也对三星的HBM4 供应有所期待。

三星3GB GDDR7芯片在中国开卖,英伟达新显卡有望升级更高显存容量?

6月10日消息,据外媒WCCFtech 报导,英伟达此前推出的RTX 50系列显卡大多采用的是单颗2GB容量的GDDR7显存芯片,仅RTX 5090笔记本电脑版采用的是3GB GDDR7显存芯片,而近期三星已经在中国市场开售3GB GDDR7显存芯片,显示这类显存芯片供应改善,预计Super 系列RTX 50 显卡将拥有更高容量的GDDR7显存。