英伟达委托三大DRAM厂商开发SoCEM模块，美光率先获得量产批准
6月11日消息，据外媒tweaktown报道，英伟达（NVIDIA ）委托托三星、SK 海力士和美光等DRAM大厂开发SoCEM 内存模块，但出乎意料的是，美光竟是第一家获得量产批准的公司。
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三星3GB GDDR7芯片在中国开卖，英伟达新显卡有望升级更高显存容量？
6月10日消息，据外媒WCCFtech 报导，英伟达此前推出的RTX 50系列显卡大多采用的是单颗2GB容量的GDDR7显存芯片，仅RTX 5090笔记本电脑版采用的是3GB GDDR7显存芯片，而近期三星已经在中国市场开售3GB GDDR7显存芯片，显示这类显存芯片供应改善，预计Super 系列RTX 50 显卡将拥有更高容量的GDDR7显存。
三星利用其5nm制程携手英飞凌、恩智浦开发汽车芯片
6月6日消息，据韩国媒体Sammobile 的报导，三星已与英飞凌（Infineon）和恩智浦（NXP）达成合作，共同研发下一代汽车芯片解决方案。而该协议也预计采用三星的5nm制程技术来进行芯片生产，这也将为三星的晶圆代工业务及存储产品争取到订单。
苹果差点用了三星5G基带芯片，但一名高管关闭这项合作
据社交媒体“X”平台用户@Jukanlosreve 爆料称，苹果曾经与三星讨论过在基带芯片供应上的合作，但最终却失败了。原因并不是三星提出了不合理的要求——希望赢得苹果处理器的代工合同，而是由于一位名为 Jung Hyun Ho 的三星高管反对这项合作，因为他不希望三星帮助竞争对手。
为开拓晶圆代工业务，三星挖来台积电前高管
6月3日消息，据韩媒Fnnews报道，三星电子为了强化晶圆代工业务的竞争力已经聘请了台积电前高管Margaret Han，担任北美晶圆代工业务的负责人。过去Margaret Han曾在台积电任职长达21年，随后转战英特尔及恩智浦等半导体大厂。
传三星即将退出MLC NAND市场
5月27日消息，据韩国媒体The Elec援引消息人士报道称，三星电子很快就会退出多层储存单元（Multi-level cell，MLC）NAND型闪存领域，目前只接单到6月为止。
三星将在2028年前采用玻璃中介层技术
5月25日消息，据ET新闻报道，三星电子计划从 2028 年开始在芯片封装中采用玻璃中介层，预计可以提供更好的性能、更低的成本和更快的生产，将彻底改变 AI 芯片封装。
三星扩大1c DRAM产能，希望通过HBM4缩小与竞争对手差距
目前HBM4 已成为DRAM大厂的新战场，三星正藉由大规模的投资缩小与当前市场龙头SK 海力士的差距。根据韩国媒体ZDNet Korea 的报导，三星计划在韩国华城和平泽扩大1c DRAM （第六代10nm等级）制程技术的生产，相关投资将在年底前启动。
HBM4制造难度及成本将更高，溢价幅度预计将超30%
5月22日消息，根据市场研究机构TrendForce最新发布的研究报道称，受益于AI芯片需求的带动，三大DRAM原厂正积极推动HBM4 产品进度。但因HBM4的I/O 数量增加，复杂芯片设计也使得所需的晶圆面积增加，且部分供应商产品改为采逻辑基低芯片构架以提高性能，这些都将带来成本的提升。鉴于HBM3e刚刚推出时溢价比例约20%，制造难度更高的HBM4的溢价幅度或突破30%。
AMD高管：台积电2nm业界最优，但不排除也会跟三星合作
5月20日消息，据《朝鲜日报》报道，虽然AMD此前已经宣布将于2026年推出的代号为“Venice”的EPYC系列处理器将首发采用台积电2nm制程，但是也并不排除会跟三星电子等其他晶圆代工厂商合作。
三星计划将低端光罩制造外包，以便聚焦ArF、EUV光罩技术
5月14日消息，据韩国媒体The Elec报导，三星此前为了防止技术外泄，一直自行生产所需的全部光罩。不过，目前三星正在评估制造低端光罩（i-line与KrF）的潜在供应商，以便将用于内存芯片制造的光罩（photomask）生产外包。
