三星扩大1c DRAM产能，希望通过HBM4缩小与竞争对手差距

目前HBM4 已成为DRAM大厂的新战场，三星正藉由大规模的投资缩小与当前市场龙头SK 海力士的差距。根据韩国媒体ZDNet Korea 的报导，三星计划在韩国华城和平泽扩大1c DRAM （第六代10nm等级）制程技术的生产，相关投资将在年底前启动。

报导指出，相较于竞争对手SK 海力士和美光选择1b DRAM (第五代10nm等级）制程技术作为HBM4 的基础技术，三星则更大胆押注更先进的1c DRAM 制程技术，表明三星有信心提升1c DRAM 制程技术的良率。此外，报导还指出，三星还考虑在2025年底前将华城17号生产线从1z DRAM (第三代10奈米等级）制程技术转为1c DRAM 制程技术生产，以进一步扩大产能。

值得注意的是，三星2025年稍早已在平泽第四园区（P4）启动首条1c DRAM 制程技术产线，目标月产能为3万片晶圆。之后若继续扩产顺利，月产能将有望提升至4万片。

韩国《朝鲜日报》先前就报导指出，三星用于12层堆叠的HBM4 的关键组件——4nm制程逻辑芯片，在先前的测试生产中达成超过40%的良率。而根据市场研究及调查机构TrendForce 预测，受强劲市场需求的推动，2026年HBM 总出货量将突破300亿GB。而新一代的HBM4 将在2026年下半年超越HBM3e，成为市场主流解决方案。

编辑：芯智讯-林子