2025年HBM价格将上涨约5%~10%，在整个DRAM市场的产值占比将超30%
5月6日消息，根据市场研究机构TrendForce的最新报告显示，受益于HBM（高带宽内存）销售单价较传统型DRAM高出数倍，即使相比DDR5价格差距也达到了约五倍，加上AI芯片相关产品的持续升级，也使得对于HBM容量需求增加，这将促使2023~ 2025年HBM的产能级产值在整个DRAM市场当中的比重将持续提升。
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三星携手新思科技完成3nm GAA制程高性能移动SoC流片
近日，三星电子和新思科技（Synopsys）共同宣布，三星电子采用新思科技的 Synopsys DSO.ai EDA 套件，成功完成了基于其3nm GAA晶体管的“高性能移动SoC”生产流片。
韩媒：英伟达疑煽动三星、SK海力士竞争，以压低HBM价格
据韩国媒体BusinessKorea近日报道，在人工智能芯片对于高带宽内存HBM需求的推动下，自2023年以来，第三代的HBM3的报价已经上涨超过5倍。这对于英伟达等AI芯片大厂来说，所需的关键HBM价格大涨，势必会影响其AI芯片的成本。
三星一季度营业利润暴涨931.87%！半导体业务扭亏为盈！
4月30日，韩国三星电子正式公布了2024年第一季度财报，受惠于旗舰智能手机Galaxy S24的强劲销售以及存储芯片价格的上涨，三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元，同比暴涨931.87%！
传三星已与AMD签订30亿美元HBM3E供货协议！
4月24日消息，据韩国媒体报道，三星已经成功与处理器大厂AMD签订了价值30亿美元的新供应协议。三星将向AMD供应HBM3E 12H DRAM，预计会用在AMD Instinct MI350系列AI芯片上。在此协议中，三星还同意购买AMD的GPU以换取HBM产品的交易，但是具体的产品和数量暂时还不清楚。
晶圆代工市场增长放缓，传三星美国晶圆厂推迟至2026年量产
4月23日消息，据韩国媒体Business Korea报道称，三星电子已将位于美国德克萨斯州泰勒市的晶圆的量产时间从2024年底推迟到了2026年，原因可能是考虑到晶圆代工市场增势放缓而调整了建设速度。
三星NAND Flash产能利用率已恢复至90%以上？
4月23日消息，据韩国媒体ETNews报导，有市场人士表示存储芯片大厂三星电子近期已将NAND Flash闪存的产能利用率提升至90%，相较第一季的80%进一步提升。
支持双向卫星通信，三星Exynos 5400 5G调制解调器发布
4 月18日，三星电子正式发布了其首款支持双向卫星通信的 5G 调制解调器 Exynos 5400。三星表示，该调制解调器已应用于 Exynos 处理器版本的 Galaxy S24 和 Galaxy S24 + 智能手机当中，据悉也将搭载于谷歌 Pixel 9 系列（Pixel 9、Pixel 9 Pro、Pixel 9 Pro XL 和 Pixel 9 Pro Fold）等即将于今年晚些时候发布的下一代 Pixel 设备中。
传美光将获美国政府60亿美元补贴，最快下周公布
4月18日消息，据彭博社报道，继晶圆代工大厂英特尔、台积电、三星与格芯之后，存储芯片大厂美光（Micron）也将获美国商务部超过60亿美元的“芯片法案”补贴，以助力其美国芯片制造计划。
三星NAND晶圆投片量趋于保守，产能利用率维持在60%以下
4月17日消息，据韩国媒体《朝鲜日报》报道，三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。不过，三星方面对进一步的增产仍然保持谨慎态度，希望避免影响到NAND Flash的价格涨势。
三星在美投资额提升至400亿美元，将获64亿美元补贴
当地时间4月15日，美国商务部官网发布公告称，已与三星电子签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片和科学法案》向三星电子提供高达64亿美元的直接补贴资金，以加强美国半导体供应链的弹性，推进美国的技术领导地位，并增强美国的全球竞争力。同时，三星还还表示，计划申请美国财政部的投资税收抵免，预计将涵盖高达25%的合格资本支出。
三星将于本月量产290层NAND，明年还将推出430层NAND
4月12日消息，据韩国媒体据Kedglobal报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子公司将于本月晚些时候开始批量生产 290 层第九代垂直 (V9) NAND 芯片，以引领行业向高堆叠高密度闪存过渡的竞争对手。另据业内消息人士于本周四表示，随着人工智能时代对高性能和大型存储设备的需求增长，三星电子还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
