三星否认HBM3E质量问题！

5月27日消息，据韩国媒体Business Korea报道称，针对此前三星高带宽內存（HBM）未通过英伟达（NVIDIA）认证是因为功耗及散热问题的消息，三星予以了否认。

日前路透社引述市场人士的说法称，三星最新的HBM芯片由于散热和功耗问题，导致其尚未通过GPU大厂英伟达的测试认证。

对此，三星发布声明表示，“我们正与全球各合作伙伴顺利测试HBM供应，努力提高所有产品品质和可靠性，也严格测试HBM产品的质量和性能，以便为客户提供最佳解决方案。”

据了解，三星近期开始量产第五代HBM产品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E设备。
外媒Tom′s Hardware认为，三星虽然声称最新HBM产品可与多种处理器正常工作，但没明确说明能否与英伟达相关处理器配合正常工作，以及此前未能通过英伟达某方面认证的原因是什么。

目前英伟达有多种GPU采用HBM3E內存，包括H200及B200、B100和GB200，虽然都需要HBM3E內存堆叠，但对功耗和散热要求不同。因此，Tom′s Hardware猜测，三星HBM3E內存可满足英伟达H200、B200及AMD即将推出的Instinct MI350X的要求，但可能无法满足Nvidia GB200要求。

编辑：芯智讯-林子