三星HBM因散热与功耗问题未通过英伟达认证

​5月24日消息，据路透社引述市场人士的说法称，三星最新的高带宽內存（HBM）芯片由于散热和功耗问题，导致其尚未通过GPU大厂英伟达（NVIDIA）的测试认证。

对此，三星在给路透社的声明中表示，HBM是一款定制化內存产品，需要根据客户需求进行优化流程。现阶段，公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。不过，三星拒绝对特定客户发表评论，辉达方面也同样拒绝评论。

报导指出，HBM于2013年首次推出，其中的DRAM芯片透过垂直堆叠来节省空间，并降低功耗，有助于处理复杂的人工智能应用所产生的大量数据。随着生成式AI热潮对GPU的需求激增，对HBM的需求也激增。目前英伟达拿下了全球AI GPU市场超过80%的市占率，所以能打入英伟达的HBM供应链就成为供应商未来成长的关键。

因此，市场人士表示，自2023年以来，三星一直在努力通过英伟达对HBM3和HBM3E等产品的认证。不过，最近英伟达对三星8层和12层堆叠的HBM3E芯片的认证失败结果已经于四月之际公布。

对此，市场人士指出，尚不清楚这些问题是否可以轻易解决。然而，未能通过英伟达的要求增加了业界和投资者的担忧，使得三星可能会进一步落后于竞争对手SK海力士和美光科技。目前SK海力士和美光的HBM产能已经被预定一空，即便是2025年的产能也已经被预定。

编辑：芯智讯-林子