目前台积电美国新晶圆厂正在建设当中,而三星的美国建厂计划则相对滞后,预计量产时间将落后台积电约一年。但是,在投资金额、产能规划及当地先进制程布局上,三星似乎并不逊于台积电。根据最新传出的消息称,三星规划要在2026年将3nm环绕闸极技术(GAA)制程引入美国厂,打造全美国最先进的晶圆厂,力求弯道超车。
8月4日消息,受益于2020年下半年以来全球半导体需求大增,价格持续上涨,韩国半导体巨头三星电子在今年第二财季成功超越英特尔,时隔10个季度,再度登上全球第一大半导体厂商的宝座。但是,在晶圆代工业务方面,三星正面临着新入局的英特尔的全力追赶。
6月9日消息,三星今天宣布完成了基于 8nm生产工艺的射频(RF) 技术的开发。这项尖端的代工技术有望提供“一个芯片解决方案”,尤其是通过支持多通道和多天线芯片设计增强 5G 网络通信。这项 8nm射频平台的推出将会进一步巩固三星在 5G 半导体市场的领导地位。
5月14日消息,韩国政府昨天正式公布一项未来10年投资510兆韩元(约合人民币2.9万亿元)的“K半导体战略”。韩国总统文在寅表示,目标是将韩国建设成全球最大的半导体生产基地,引领全球的半导体供应链。
三星电子周四表示,计划到2030年在非存储芯片领域投资171万亿韩元(约合1511亿美元),较2019年宣布的133万亿韩元的目标大幅提高。
5月11日消息,据日经新闻报道,三星电子副会长李在镕去年不顾疫情飞往荷兰,寻求掌握先进半导体制程的重要设备,却仍难缩小和台积电落差。而韩国在中美之间摇摆,也扩大三星和台积电的差距。
1月28日消息,根据韩国媒体《ETnews》报导,随着半导体市场需求的成长,晶圆代工龙头台积电宣布2021 年将提高资本支出到250 亿美元至280 亿美元之后,竞争对手韩国三星预计2021 年针对半导体事业的资本支出较2020 年增加20%,金额达35 兆韩圜(约296 亿美元),将分别投资于存储与晶圆代工等相关事业。
1月25日消息,据彭博近日披露,韩国三星电子考虑斥资逾100 亿美元在美国兴建最先进逻辑晶片厂,盼拿下更多美国订单,及迎头赶上对手台积电。
11月20日消息,据韩国媒体爆料称,三星已确定在美国德州奥斯汀新建采用极紫外光(EUV)技术的半导体工厂,项目总投资规模约100亿美元。此举或将是为应对台积电在美国建5nm工厂的挑战。
据新华社报道,西安高新区的三星半导体存储芯片一期项目一、二月份实现满产生产,二期项目正按计划推进。报道指出,目前第一阶段项目正在调试安装设备,第二阶段争取按原定计划在8月底完成内部装修工程。
北京时间12月12日晚间消息,据国外媒体报道,三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资,以促进NAND闪存芯片的生产。
据外媒报道,三星电子于当地时间本周二宣布,该公司将关闭位于美国的CPU研究部门,同时裁员约300人。而在此之前,业内就有传闻称三星电子将放弃自研的猫鼬架构CPU内核,转而全部采用公版的Arm Cortex系列CPU内核来打造Exynos移动处理器芯片。此次三星宣布关闭其在美国的CPU研究部门似乎也侧面印证了这个传闻。