
imec在12英寸CMOS平台上制造的Si MOS量子点实现了创纪录的低电荷噪声
近日,比利时微电子研究中心(imec)宣布成功演示了高质量 300 毫米硅基量子点自旋量子比特处理,该设备在 1Hz 时产生具有统计意义的平均电荷噪声 0.6µeV/√ Hz。就噪声性能而言,所获得的值是在 300 毫米晶圆厂兼容平台上实现的最低电荷噪声值。如此低的噪声值可实现高保真量子比特控制,因为降低噪声对于保持量子相干性和高保真控制至关重要。通过在 300 毫米 Si MOS 量子点工艺上反复且可重复地演示这些值,这项工作使基于硅基量子点的大规模量子计算机成为现实。