三星将展示HBM4，计划年底启动量产

10月21日消息，据韩国媒体SeDaily报导，三星电子将在本月底登场的“2025 三星技术展（Samsung Tech Fair）”上展示第6代高带宽存储器（HBM4），并计划于今年底启动量产。

相较于前一代HBM3e，三星过去在品质与英伟达（NVIDIA）认证速度上一度落后于SK hynix 与Micron，而整体HBM 市场也长期由SK hynix 占据主导地位。此次HBM4 的亮相，被视为三星加速追赶、试图以更快的量产节奏与更成熟的技术重新夺回领先权的关键一步。

业界预期，HBM4 将成为支撑下一代AI芯片与超大型数据中心（Hyperscale Data Center）的核心存储器。如果三星HBM能在良率与供应稳定性上率先突破，将有望在生成式AI 时代与SK Hynix 并驾齐驱。根据产业观察，HBM4 不仅在堆叠层数上实现创新，也将传输速率提升至9 Gbps 以上，带宽较HBM3e 提升到了超过40%，显示三星已接近量产成熟阶段。

随着AI 模型规模持续扩张，以及高性能计算（HPC）系统对带宽与性能需求不断攀升，HBM4 的量产进度将直接影响英伟达、AMD 等主要AI 晶片供应链的布局。市场分析指出，如果三星能如期在今年底启动量产，将有助于其在2025 年重返AI HBM 存储器主流供应阵营，扭转近年由SK Hynix 领先的市场格局。

编辑：芯智讯-浪客剑