台积电A14制程仍不会采用High NA EUV光刻机

5月28日消息，虽然目前英特尔已经在其Intel 18A制程的研发过程中导入了ASML最新的High NA EUV光刻机，但是台积电似乎却不急于采用这类价格昂贵的设备，即便是尖端的A14制程也将不会采用。

此前，台积电业务开发及全球销售高级副总裁张晓强就曾公开表示，虽然对High NA EUV能力印象深刻，但设备价格超过 3.5 亿欧元（3.78 亿美元）。目前的标准型EUV光刻机，仍可以支持台积电尖端制程的生产到2026年，台积电尖端制程A16也将会继续采用标准型EUV光刻机来进行生产。

在最近于荷兰阿姆斯特丹举行的台积电技术论坛欧洲站活动上，张晓强再度重申了其对High NA EUV光刻机的长期立场，该公司的A16（1.6nm级）和 A14（1.4nm级）工艺技术都不会采用 High NA EUV光刻机。

张晓强表示，“人们似乎对于台积电何时使用 High NA EUV光刻机很感兴趣，我认为我们的答案非常简单。每当我们看到 High NA EUV将提供有意义、可衡量的好处时，我们就会这样做。对于 A14，我之前谈到的增强在不使用 High NA 的情况下也非常显着。因此，我们的技术团队继续寻找一种方法来延长当前标准EUV光刻机的使用寿命，同时获得扩展优势。”

台积电的 A14 工艺依赖于该公司的第二代纳米片栅极全环绕晶体管，以及新的标准单元架构。据台积电称，A14 在相同的功率和复杂性下提供高达 15% 的性能提升，或者在相同频率下降低 25% 至 30% 的功耗。在晶体管密度方面，A14 在混合逻辑/SRAM/模拟配置方面比 N2 提高了 20%，在纯逻辑方面提高了 23%。

张晓强称，A14制程这种性能、功率和晶体管密度的增加代表了所谓的“全节点优势”，然而，台积电不需要下一代高数值孔径 EUV 光刻工具，即可在其 A16 和 A14 工艺技术上生产具有可预测良率和所需性能和功率特性的芯片。

需要指出的是，台积电的 A16 本质上是 N2P的延续，具有超级电源轨（SPR）背面供电网络。由于台积电不需要用于 N2 和 N2P 的高数值孔径 EUV 工具，因此 A16 也不需要它们。相比之下，A14 是一个全新的节点，将在 2028 年用于量产，因此台积电不需要 High NA EUV 这一事实是相当了不起的。

当被问及 A14 制程是否严重依赖多重图形化时，张晓强回答说他无法就具体细节发表评论，但表示台积电的技术团队已经找到了一种在A14节点上生产芯片的方法，而无需使用High NA EUV光刻机，与标准型的低数值孔径EUV系统的 13.5nm 分辨率相比，该工具可提供 8nm 分辨率。

“这是我们技术团队的一项伟大创新，”张晓强说。“只要他们继续找到方法，显然，我们就不必使用 High NA EUV 光刻机。最终，我们将在某个时候使用它。因此，我们需要找到一个正确的节点，提供最大的收益，最大的投资回报。”

值得注意的是，台积电的第一代的 A14 制程将在 2029 年被具有 SPR 背面供电技术的第二代的 A14 制程取代，而且台积电似乎也不会在这次迭代中需要High NA EUV光刻机。因此，台积电至少在 2030 年之前，甚至可能更晚，都没有计划使用 High NA EUV 光刻机进行大规模生产。

相比之下，英特尔将在 2027 年至 2028 年开始使用High NA EUV光刻机来制造其Intel 14A制程，主要是可以提升精度、减少EUV曝光次数和工艺步骤的数量。

根据ASML财报披露的信息显示，ASML已经向客户交付了5台High NA EUV光刻机，其中英特尔拿到了多数，三星可能也拿到了1-2台。传闻显示，三星也已经组建了一个致力于 1nm 制造的团队，目标是在 2029 年实现量产。

编辑：芯智讯-浪客剑