创意电子：全球首款HBM4 IP于台积电N3P制程完成投片

4月2日，先进ASIC厂商创意电子宣布成功完成HBM4控制器与实体层（PHY）半导体IP的投片。该芯片采用台积电最先进的N3P制程技术，并结合CoWoS-R先进封装技术实现。

创意电子表示，HBM4 IP支持高达12Gbps的数据传输速率。通过创新的中介层（interposer）布局设计，优化了信号完整性（SI）与电源完整性（PI），确保HBM4在各类CoWoS技术下皆能稳定运行于高速模式。相较于HBM3，HBM4 PHY实现了2.5倍的带宽提升，并将功耗效率提升1.5倍，面积效率提升2倍。

创意电子指出，HBM4 IP 将延续与proteanTecs在HBM、Glink与UCIe IP的技术合作，HBM4 IP还整合了proteanTecs的互连监测解决方案，提供HBM联机信号的可观测性与电气特性分析，进一步提升终端产品的实际运行性能与可靠度。

这项里程碑将进一步强化创意电子在先进IP领域的完整布局，将HBM4纳入HBM3/3E、32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解决方案之列，共同构成完整的2.5D与3D解决方案，为客户提供强大支持，以应对AI、高性能运算（HPC）等最具挑战性的应用需求。

HBM4 IP设计亮点：

在所有sign-off PVT条件下均可达12Gbps；

高总线利用率，随机读写存取时可达约90%；

创新中介层（interposer）布局设计，确保各类CoWoS技术下的最佳SI/PI表现；

内建由proteanTecs所提供之每通道实时I/O及clock能效与健康监测电路。

创意电子总经理戴尚义强调，很自豪成为全球首家成功投片12Gbps HBM4控制器与PHY IP的公司。将持续致力于提供业界领先的2.5D/3D IP与服务。通过整合HBM4、UCIe-A与UCIe-3D IP，为半导体产业提供全面性的解决方案，以满足市场不断演进的需求。

编辑：芯智讯-林子