为提升HBM良率，传三星跟进SK海力士采用MUF技术

据路透社3月12日报道，三星计划采用SK海力士所采用的高带宽内存（High Bandwidth Memory，HBM）制造技术，以期在竞争越来越激烈的HBM竞赛中追赶竞争对手。

随着生成式AI的持续火爆，带动了AI芯片需求的爆发，而作为AI芯片的关键组件的HBM也是供不应求，除了需求大增之外，HBM生产周期较DDR5更长，投片到产出与封装完成需两个季度以上。据TrendForce资深研究副总吴雅婷表示，目前HBM市场主流为HBM3，英伟达现有的H100采用的是就是HBM3，其中SK海力士是最主要的供应商，但是供应不足应付整体AI市场所需，因此在2023年底，三星以1Z nm产品开始加入了英伟达供应链，尽管比重仍小，但仍可视为三星HBM3的重要斩获。

同时，三星也是AMD的HBM长期重要策略供应伙伴，2024年一季度，三星HBM3产品陆续通过了AMD MI300系列的验证，包括8h与12h产品，因此在2024年第一季度后，三星HBM3产品将会逐渐放量。

而英伟达新一代的B100或H200 GPU将会采用最新的HBM3e，据TrendForce调查显示，SK海力士、美光的HBM3e已先后通过了英伟达的认证，并敲定了HBM3e供应协议之际，三星的HBM3e递交样品时间较另两家稍晚，至今仍未通过英伟达的质量测试。

另外，数名分析人士指出，三星HBM3的良率目前只有10~20%，SK海力士的HBM3良率却已达到了60~70%。

分析认为，因为三星坚持使用非导电性胶膜（Non-Conductive. Film，NCF）技术，因而导致了其HBM面临一些生产问题，这也是其进度落后的原因之一。相较之下，SK海力士率先改用批量回流模制底部填充（mass reflow molded underfill，MR-MUF）技术，解决NCF弱点，也成为第一家供应HBM3芯片给英伟达的厂商。

不过，有消息透露，三星最近已下单采购专为MUF设计的芯片制造设备。一名知情人士说，“三星必须设法提升HBM良率……改为采用MUF技术对三星来说有点吞下自尊的意味，因为这代表该公司终究还是得跟进SK海力士的技术路线。”

消息称，三星正在跟数家材料商接洽，希望采购MUF材料，当中包括日本厂商——长濑产业株式会社（Nagase）。不过，消息称三星并未完全放弃NCF技术，而打算在最新款HBM芯片同时使用NCF、MUF两种技术。

编辑：芯智讯-林子